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STL130N6F7

配单专家企业名单
  • 型号
  • 供应商
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  • 厂商
  • 封装
  • 批号
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  • 说明
  • 操作
  • STL130N6F7
    STL130N6F7

    STL130N6F7

    现货
  • 集好芯城
    集好芯城

    联系人:陈先生 13360533550

    电话:0755-83289799

    地址:深圳市福田区深南中路汉国城市商业中心55层 香港新界葵兴葵康大厦6楼

    资质:营业执照

  • 44122

  • ST(意法)

  • 22+

  • -
  • 原装原厂现货

  • STL130N6F7
    STL130N6F7

    STL130N6F7

  • 深圳市华芯源电子有限公司
    深圳市华芯源电子有限公司

    联系人:张小姐

    电话:1501927513013823545558

    地址:深圳市福田区华强路华强广场D座16层18B

    资质:营业执照

  • 8793

  • ST/意法

  • DFN5X6

  • 23+

  • -
  • 只做原装现货/实单可谈

  • STL130N6F7
    STL130N6F7

    STL130N6F7

  • 深圳市晶美隆科技有限公司
    深圳市晶美隆科技有限公司

    联系人:李林

    电话:0755-8251939113714584659李先生(可开13%增票,3

    地址:深圳市福田区华强北电子科技大夏A座36楼C09

    资质:营业执照

  • 13740

  • ST

  • PowerFLAT

  • 24+

  • -
  • 全新原装正品现货特价

  • STL130N6F7
    STL130N6F7

    STL130N6F7

  • 深圳市英科美电子有限公司
    深圳市英科美电子有限公司

    联系人:张先生

    电话:0755-23903058

    地址:深圳市福田区振兴路西101号华匀大厦1栋7F

  • 16800

  • ST/意法

  • QFN

  • 22+

  • -
  • 每一片都来自原厂,正品保证

  • STL130N6F7
    STL130N6F7

    STL130N6F7

  • 北京天阳诚业科贸有限公司
    北京天阳诚业科贸有限公司

    联系人:洪先生

    电话:17862669251

    地址:北京市海淀区安宁庄西路9号院29号楼金泰富地大厦503

    资质:营业执照

  • 59

  • STMICROELECTRONICS

  • con

  • 24+

  • -
  • 场效应管

  • STL130N6F7
    STL130N6F7

    STL130N6F7

  • 北京京北通宇电子元件有限公司
    北京京北通宇电子元件有限公司

    联系人:

    电话:18724450645

    地址:北京市海淀区安宁庄西路9号院29号楼5层505室

    资质:营业执照

  • 59

  • STMICROELECTRONICS

  • con

  • 24+

  • -
  • 场效应管

  • STL130N6F7
    STL130N6F7

    STL130N6F7

  • 深圳市毅创辉电子科技有限公司
    深圳市毅创辉电子科技有限公司

    联系人:雷春艳

    电话:19129493934(手机优先微信同号)0755-83266697

    地址:深圳市福田区华强北街道华强北路1016号宝华大厦A座2028室

    资质:营业执照

  • 2150

  • STMICROEL

  • 1521+

  • -
  • 全新原装现货

  • STL130N6F7
    STL130N6F7

    STL130N6F7

  • 深圳市百域芯科技有限公司
    深圳市百域芯科技有限公司

    联系人:汪小姐

    电话:19240207240

    地址:华强北都会轩4507

    资质:营业执照

  • 5960

  • ST/意法

  • PowerFLAT-5x6-8

  • 24+

  • -
  • 优势供应 品质保障 可开13点发票

  • STL130N6F7
    STL130N6F7

    STL130N6F7

  • 北京京华特科技有限公司
    北京京华特科技有限公司

    联系人:张小姐/韩先生

    电话:010-86398446-8061581080972213911315253

    地址:北京市朝阳区建国门外大街9号楼603室

  • 20000

  • ST

  • N/A ㊣品

  • N/A 原装进口

  • -
  • 渠道可追溯现货库存LY

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  • 功能描述
  • MOSFET N-CH 60V 130A F7 8PWRFLAT
  • 制造商
  • stmicroelectronics
  • 系列
  • STripFET? F7
  • 包装
  • 剪切带(CT)
  • 零件状态
  • 有效
  • FET 类型
  • MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 功能
  • 标准
  • 漏源极电压(Vdss)
  • 60V
  • 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
  • 130A(Tc)
  • 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值)
  • 3.5 毫欧 @ 13A,10V
  • 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
  • 4V @ 250μA
  • 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg)
  • 42nC @ 10V
  • 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)
  • 2600pF @ 25V
  • 功率 - 最大值
  • 125W
  • 工作温度
  • -55°C ~ 175°C(TJ)
  • 安装类型
  • 表面贴装
  • 封装/外壳
  • 8-PowerSMD,扁平引线
  • 供应商器件封装
  • PowerFlat?(5x6)
  • 标准包装
  • 1
STL130N6F7 技术参数
  • STL12P6F6 功能描述:MOSFET P-CH 60V 4A 8POWERFLAT 制造商:stmicroelectronics 系列:DeepGATE?,STripFET? VI 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):60V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):4A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):160 毫欧 @ 1.5A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):6.4nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):340pF @ 48V 功率 - 最大值:75W 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:8-PowerSMD,扁平引线 供应商器件封装:PowerFlat?(5x6) 标准包装:1 STL12N65M5 功能描述:MOSFET N-CH 650V 8.5A 8POWERFLAT 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh? V 包装:剪切带(CT) 零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):650V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):8.5A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):530 毫欧 @ 4.25A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):5V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):17nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):644pF @ 100V 功率 - 最大值:48W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:8-PowerVDFN 供应商器件封装:PowerFlat?(5x6) 标准包装:1 STL12N65M2 功能描述:MOSFET N-CH 650V 8.5A PWRFLAT56 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh?? 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):650V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):5A 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):750 毫欧 @ 3A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):12.5nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):410pF @ 100V 功率 - 最大值:48W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:8-PowerVDFN 供应商器件封装:PowerFlat?(5x6) 标准包装:1 STL12N60M2 功能描述:MOSFET N-CH 600V 6.5A POWERFLAT 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh? M2 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):600V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):6.5A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):495 毫欧 @ 4.5A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):16nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):538pF @ 100V 功率 - 最大值:52W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:8-PowerVDFN 供应商器件封装:PowerFlat?(5x6) 标准包装:1 STL12N3LLH5 功能描述:MOSFET N-CH 30V 12A POWERFLAT 制造商:stmicroelectronics 系列:STripFET?? V 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):30V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):12A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):9 毫欧 @ 6A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2.5V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):12nC @ 4.5V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):1500pF @ 25V 功率 - 最大值:50W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:8-PowerVDFN 供应商器件封装:PowerFlat?(3.3x3.3) 标准包装:1 STL140N4F7AG STL140N4LLF5 STL140N6F7 STL-1-450-3-01 STL-1-450-8-01 STL150N3LLH5 STL150N3LLH6 STL15DN4F5 STL15N3LLH5 STL15N60M2-EP STL15N65M5 STL-1-600-3-01 STL-1-600-8-01 STL160N3LLH6 STL160N4F7 STL160NS3LLH7 STL16N1VH5 STL16N60M2
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