STL130N6F7全国供应商 STL130N6F7资料|PDF Datasheet|价格【ST 意法半导体】

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价格
说明
操作

STL130N6F7
现货
集好芯城
集好芯城
联系人：陈先生 13360533550
电话：0755-83289799
地址：深圳市福田区深南中路汉国城市商业中心55层香港新界葵兴葵康大厦6楼
资质：营业执照
44122
ST(意法)
22+
-
原装原厂现货

STL130N6F7
深圳市华芯源电子有限公司
深圳市华芯源电子有限公司
联系人：张小姐
电话：1501927513013823545558
地址：深圳市福田区华强路华强广场D座16层18B
资质：营业执照
8793
ST/意法
DFN5X6
23+
-
只做原装现货/实单可谈

STL130N6F7
深圳市晶美隆科技有限公司
深圳市晶美隆科技有限公司
联系人：李林
电话：0755-8251939113714584659李先生（可开13%增票，3
地址：深圳市福田区华强北电子科技大夏A座36楼C09
资质：营业执照
13740
ST
PowerFLAT
24+
-
全新原装正品现货特价

STL130N6F7
深圳市英科美电子有限公司
深圳市英科美电子有限公司
联系人：张先生
电话：0755-23903058
地址：深圳市福田区振兴路西101号华匀大厦1栋7F
16800
ST/意法
QFN
22+
-
每一片都来自原厂，正品保证

STL130N6F7
北京天阳诚业科贸有限公司
北京天阳诚业科贸有限公司
联系人：洪先生
电话：17862669251
地址：北京市海淀区安宁庄西路9号院29号楼金泰富地大厦503
资质：营业执照
59
STMICROELECTRONICS
con
24+
-
场效应管

STL130N6F7
北京京北通宇电子元件有限公司
北京京北通宇电子元件有限公司
联系人：张
电话：18724450645
地址：北京市海淀区安宁庄西路9号院29号楼5层505室
资质：营业执照
59
STMICROELECTRONICS
con
24+
-
场效应管

STL130N6F7
深圳市毅创辉电子科技有限公司
深圳市毅创辉电子科技有限公司
联系人：雷春艳
电话：19129493934（手机优先微信同号）0755-83266697
地址：深圳市福田区华强北街道华强北路1016号宝华大厦A座2028室
资质：营业执照
2150
STMICROEL
1521+
-
全新原装现货

STL130N6F7
深圳市百域芯科技有限公司
深圳市百域芯科技有限公司
联系人：汪小姐
电话：19240207240
地址：华强北都会轩4507
资质：营业执照
5960
ST/意法
PowerFLAT-5x6-8
24+
-
优势供应品质保障可开13点发票

STL130N6F7
北京京华特科技有限公司
北京京华特科技有限公司
联系人：张小姐/韩先生
电话：010-86398446-8061581080972213911315253
地址：北京市朝阳区建国门外大街9号楼603室
20000
ST
N/A ㊣品
N/A 原装进口
-
渠道可追溯现货库存LY

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功能描述
MOSFET N-CH 60V 130A F7 8PWRFLAT
制造商
stmicroelectronics
系列
STripFET? F7
包装
剪切带（CT）
零件状态
有效
FET 类型
MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 功能
标准
漏源极电压（Vdss）
60V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
130A（Tc）
不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）
3.5 毫欧 @ 13A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
4V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）
42nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）
2600pF @ 25V
功率 - 最大值
125W
工作温度
-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型
表面贴装
封装/外壳
8-PowerSMD，扁平引线
供应商器件封装
PowerFlat?（5x6）
标准包装
1

STL130N6F7 技术参数

STL12P6F6 功能描述:MOSFET P-CH 60V 4A 8POWERFLAT 制造商:stmicroelectronics 系列:DeepGATE?，STripFET? VI 包装:剪切带（CT）零件状态:有效 FET 类型:MOSFET P 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:60V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:4A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:160 毫欧 @ 1.5A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:6.4nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:340pF @ 48V 功率 - 最大值:75W 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:8-PowerSMD，扁平引线供应商器件封装:PowerFlat?（5x6）标准包装:1 STL12N65M5 功能描述:MOSFET N-CH 650V 8.5A 8POWERFLAT 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh? V 包装:剪切带（CT）零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:650V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:8.5A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:530 毫欧 @ 4.25A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:17nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:644pF @ 100V 功率 - 最大值:48W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:8-PowerVDFN 供应商器件封装:PowerFlat?（5x6）标准包装:1 STL12N65M2 功能描述:MOSFET N-CH 650V 8.5A PWRFLAT56 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh?? 包装:剪切带（CT）零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:650V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:5A 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:750 毫欧 @ 3A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:12.5nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:410pF @ 100V 功率 - 最大值:48W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:8-PowerVDFN 供应商器件封装:PowerFlat?（5x6）标准包装:1 STL12N60M2 功能描述:MOSFET N-CH 600V 6.5A POWERFLAT 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh? M2 包装:剪切带（CT）零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:600V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:6.5A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:495 毫欧 @ 4.5A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:16nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:538pF @ 100V 功率 - 最大值:52W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:8-PowerVDFN 供应商器件封装:PowerFlat?（5x6）标准包装:1 STL12N3LLH5 功能描述:MOSFET N-CH 30V 12A POWERFLAT 制造商:stmicroelectronics 系列:STripFET?? V 包装:剪切带（CT）零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:30V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:12A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:9 毫欧 @ 6A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:12nC @ 4.5V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:1500pF @ 25V 功率 - 最大值:50W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:8-PowerVDFN 供应商器件封装:PowerFlat?（3.3x3.3）标准包装:1 STL140N4F7AG STL140N4LLF5 STL140N6F7 STL-1-450-3-01 STL-1-450-8-01 STL150N3LLH5 STL150N3LLH6 STL15DN4F5 STL15N3LLH5 STL15N60M2-EP STL15N65M5 STL-1-600-3-01 STL-1-600-8-01 STL160N3LLH6 STL160N4F7 STL160NS3LLH7 STL16N1VH5 STL16N60M2

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