STL13N65M2全国供应商 STL13N65M2资料|PDF Datasheet|价格【ST 意法半导体】

配单专家企业名单

型号
供应商
数量
厂商
封装
批号
价格
说明
操作

STL13N65M2
深圳市英科美电子有限公司
深圳市英科美电子有限公司
联系人：张先生
电话：0755-23903058
地址：深圳市福田区振兴路西101号华匀大厦1栋7F
16800
ST/意法
DFN5X6
22+
-
每一片都来自原厂，正品保证

STL13N65M2
中山市翔美达电子科技有限公司
中山市翔美达电子科技有限公司
联系人：朱小姐
电话：155020706551802218672813590991023
地址：火炬开发区中山港大道99号金盛广场1栋613室
10000
ST
DIP/SOP
19+
-
公司全新原装正品,QQ153058080...

STL13N65M2
深圳市科翼源电子有限公司
深圳市科翼源电子有限公司
联系人：朱小姐
电话：13510998172
地址：振华路100号深纺大厦C座2楼E16
资质：营业执照
8000
ST/意法
23+
-
原厂原装正品现货

STL13N65M2
深圳市毅创辉电子科技有限公司
深圳市毅创辉电子科技有限公司
联系人：雷春艳
电话：19129493934（手机优先微信同号）0755-83266697
地址：深圳市福田区华强北街道华强北路1016号宝华大厦A座2028室
资质：营业执照
15000
STMICROEL
1521+
-
全新原装现货

STL13N65M2
深圳市众芯微电子有限公司
深圳市众芯微电子有限公司
联系人：陈小姐
电话：0755-8320801015711992892
地址：都会轩3607
资质：营业执照
86900
STMicroelectronics
PowerFlat?（5x6）
18+
-
MOSFET N-CH 650V 6.5...

STL13N65M2
北京耐芯威科技有限公司
北京耐芯威科技有限公司
联系人：刘先生
电话：010-62962871629687318256329162961347
地址：北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1009室
资质：营业执照
0
原厂封装
10000
16+/17+
-
百分百原装正品假一赔十电话010-62...

STL13N65M2
深圳成德兴科技有限公司
深圳成德兴科技有限公司
联系人：马庆勇
电话：0755-82567711
地址：深南中路佳和电子大厦（华强三店）三楼3C072室
资质：营业执照
14520
ST
DFN
22+
-
原装现货可含税可拆样品

STL13N65M2
上海鑫科润电子科技有限公司
上海鑫科润电子科技有限公司
联系人：鑫科润
电话：185210072361851602286718516022897
地址：上海徐汇区中山南二路1007号
50000
STMicroelectronics
PowerFlat?
17+
-
全新原装现货

STL13N65M2 其他被动元件
深圳市华盛锦科技有限公司
深圳市华盛锦科技有限公司
联系人：张先生/雷小姐
电话：0755-83795896
地址：深圳市福田区华强北街道赛格广场55楼5566室
资质：营业执照
25300
ST/意法
21+原厂授权
-
★原厂授权★价超代理★

STL13N65M2 其他被动元件
深圳市华盛锦科技有限公司
深圳市华盛锦科技有限公司
联系人：张先生/雷小姐
电话：0755-8279802015814679726（承诺只售原装正品，终端BOM配单一站式服务）
地址：华强街道赛格广场55楼5566室
资质：营业执照
30000
ST/意法
21+
-
原厂授权，价格超越代理！

STL13N65M2
深圳市华芯源电子有限公司
深圳市华芯源电子有限公司
联系人：张小姐
电话：1501927513013823545558
地址：深圳市福田区华强路华强广场D座16层16B
资质：营业执照
10000
ST
QFN
22+
-
终端免费提供样品可开13%增值税发票

STL13N65M2
深圳市澳亿芯电子科技有限公司
深圳市澳亿芯电子科技有限公司
联系人：李先生
电话：86-755-8450174913760200702
地址：深圳市龙岗区坂田街道五和大道山海商业广场C栋706
资质：营业执照
2500
ST
QFN
假一赔十！！
-
绝对原装现货！

STL13N65M2
深圳市铭昌源科技有限公司
深圳市铭昌源科技有限公司
联系人：优质现货代理商
电话：0755-82774613邓先生（13480915249）微信同步0755-82774613邓先生
地址：深圳市福田区工发路上步管理大厦501栋501室
资质：营业执照
58335
STMicroelectronics
SMD
22+
-
优势代理，公司现货可开票

STL13N65M2
深圳市大源实业科技有限公司
深圳市大源实业科技有限公司
联系人：李女士
电话：1530261991513762584085
地址：深圳市龙岗区五和大道山海商业广场C座707室
9000
ST
QFN
22+
-
公司原装现货，可订货，有单来谈QQ：16...

STL13N65M2
深圳市新纳斯科技有限公司
深圳市新纳斯科技有限公司
联系人：王小姐
电话：0755-8363553213751165621
地址：深圳市福田区沙头街道新洲二街南溪新苑A606/深圳市福田区振华路高科德电子市场A3810室
资质：营业执照
2940
STMicroelectronics
8-PowerVDFN
17+
-
原装正品，授权分销商现货库存，价优，货期...

STL13N65M2
深圳市华诺星科技有限公司
深圳市华诺星科技有限公司
联系人：胡泽君
电话：18998911795
地址：深圳市福田区振兴西路上步工业区405栋601-602
资质：营业执照
1000
STMicroelectronics
带卷（TR）
20+
-
原装正品，专注原装正品十五年

STL13N65M2
深圳市科宏特电子有限公司
深圳市科宏特电子有限公司
联系人：李瑞兵
电话：18897698645
地址：深圳市福田区深南中路华强电子世界三店佳和4C148
36000000
意法半导体
22+
-
原装正品

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功能描述
MOSFET N-CH 650V 6.5A POWERFLAT
制造商
stmicroelectronics
系列
MDmesh? M2
包装
剪切带（CT）
零件状态
有效
FET 类型
MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 功能
标准
漏源极电压（Vdss）
650V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
6.5A（Tc）
不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）
475 毫欧 @ 3A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
4V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）
17nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）
590pF @ 100V
功率 - 最大值
52W
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
表面贴装
封装/外壳
8-PowerVDFN
供应商器件封装
PowerFlat?（5x6）
标准包装
1

STL13N65M2 技术参数

STL13N60M2 功能描述:MOSFET N-CH 600V 7A PWRFLAT56 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh? II Plus 包装:剪切带（CT）零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:600V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:7A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:420 毫欧 @ 4.5A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:17nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:580pF @ 100V 功率 - 最大值:55W 工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:8-PowerVDFN 供应商器件封装:PowerFlat?（5x6）标准包装:1 STL13N60DM2 功能描述:N-CHANNEL 600 V, 0.350 OHM TYP., 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh?? 包装:剪切带（CT）零件状态:在售 FET 类型:N 沟道技术:MOSFET (Metal Oxide) 漏源极电压（Vdss）:600V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:8A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:370 毫欧 @ 4A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:19nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:730pF @ 100V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:* 工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:8-PowerVDFN 供应商器件封装:PowerFlat?（5x6）标准包装:1 STL13DP10F6 功能描述:MOSFET 2P-CH 100V 13A PWRFLAT56 制造商:stmicroelectronics 系列:DeepGATE?，STripFET? VI 包装:剪切带（CT）零件状态:有效 FET 类型:2 个 P 沟道（双） FET 功能:逻辑电平门漏源极电压（Vdss）:100V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:13A 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:180 毫欧 @ 1.7A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:16.5nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:864pF @ 25V 功率 - 最大值:62.5W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:8-PowerVDFN 供应商器件封装:PowerFlat?（5x6）标准包装:1 STL135N8F7AG 功能描述:MOSFET N-CH 80V 130A 制造商:stmicroelectronics 系列:汽车级，AEC-Q101，STripFET? F7 包装:剪切带（CT）零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:80V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:130A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:3.6 毫欧 @ 13A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4.5V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:103nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:6800pF @ 40V 功率 - 最大值:135W 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:8-PowerVDFN 供应商器件封装:PowerFlat?（5x6）标准包装:1 STL130N8F7 功能描述:MOSFET N-CH 80V POWERFLAT5X6 制造商:stmicroelectronics 系列:DeepGATE?，STripFET? VII 包装:剪切带（CT）零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:80V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:130A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:3.6 毫欧 @ 13A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4.5V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:96nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:6340pF @ 40V 功率 - 最大值:135W 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:8-PowerSMD，扁平引线供应商器件封装:PowerFlat?（5x6）标准包装:1 STL15N3LLH5 STL15N60M2-EP STL15N65M5 STL-1-600-3-01 STL-1-600-8-01 STL160N3LLH6 STL160N4F7 STL160NS3LLH7 STL16N1VH5 STL16N60M2 STL16N65M2 STL16N65M5 STL-1-750-3-01 STL-1-750-8-01 STL17N3LLH6 STL17N65M5 STL18N55M5 STL18N60M2

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