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STL225N6F7AG

配单专家企业名单
  • 型号
  • 供应商
  • 数量
  • 厂商
  • 封装
  • 批号
  • 价格
  • 说明
  • 操作
  • STL225N6F7AG
    STL225N6F7AG

    STL225N6F7AG

  • 深圳市鹏展胜电子有限公司
    深圳市鹏展胜电子有限公司

    联系人:林先生

    电话:0755-8276920313538142003

    地址:深圳市福田区华强北街道佳和大厦A座2801

    资质:营业执照

  • 6000

  • ST/意法半导体

  • PowerFLAT-5x6-8

  • 21+

  • -
  • 原装正品,假一赔十!

  • STL225N6F7AG
    STL225N6F7AG

    STL225N6F7AG

  • 深圳市华创欧科技有限公司
    深圳市华创欧科技有限公司

    联系人:朱先生

    电话:2394575513590206539

    地址:深圳市福田区华强北上步工业区201栋4楼4A68-2室

  • 18600

  • ST

  • DFN5X6

  • 2022+

  • -
  • 原装正品,公司现货库存假一罚十,电话:0...

  • STL225N6F7AG
    STL225N6F7AG

    STL225N6F7AG

  • 深圳市畅洲科技有限公司
    深圳市畅洲科技有限公司

    联系人:吴小姐

    电话:8276226218566641816

    地址:深圳市福田区华强北街道华航社区深南中路3018号都会轩2506

  • 10000

  • ST(意法)

  • 8-PowerVDFN

  • 22+

  • -
  • 全新原装正品

  • STL225N6F7AG
    STL225N6F7AG

    STL225N6F7AG

  • 中山市翔美达电子科技有限公司
    中山市翔美达电子科技有限公司

    联系人:朱小姐

    电话:155020706551802218672813590991023

    地址:火炬开发区中山港大道99号金盛广场1栋613室

  • 10000

  • ST

  • DIP/SOP

  • 19+

  • -
  • 公司全新原装正品,QQ153058080...

  • STL225N6F7AG
    STL225N6F7AG

    STL225N6F7AG

  • 深圳市杰世特电子有限公司
    深圳市杰世特电子有限公司

    联系人:林S

    电话:18927460633

    地址:深圳市福田区振华路118号华丽大厦2栋2单元535

  • 0

  • 22+

  • 10000

  • TSSOP-20

  • -
  • 进口原装现货 支持实单价优

  • STL225N6F7AG
    STL225N6F7AG

    STL225N6F7AG

  • 深圳市华诺星科技有限公司
    深圳市华诺星科技有限公司

    联系人:胡泽君

    电话:18998911795

    地址:深圳市福田区振兴西路上步工业区405栋601-602

    资质:营业执照

  • 1000

  • STMicroelectronics

  • 带卷(TR)

  • 20+

  • -
  • 原装正品,专注原装正品十五年

  • STL225N6F7AG
    STL225N6F7AG

    STL225N6F7AG

  • 深圳市鸿昌盛电子科技有限公司
    深圳市鸿昌盛电子科技有限公司

    联系人:朱先生

    电话:13168731828

    地址:深圳市福田区华强北路上步工业区101栋五楼515

    资质:营业执照

  • 5000

  • ST/意法

  • 原厂封装

  • 21+

  • -
  • 全新进口原装

  • 1/1页 40条/页 共40条 
  • 1
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  • 功能描述
  • MOSFET N-CH 60V 120A POWERFLAT
  • 制造商
  • stmicroelectronics
  • 系列
  • STripFET? F7
  • 包装
  • 剪切带(CT)
  • 零件状态
  • 在售
  • FET 类型
  • N 沟道
  • 技术
  • MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss)
  • 60V
  • 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
  • 120A(Tc)
  • 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
  • 10V
  • 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
  • 4V @ 250μA
  • 不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值)
  • 98nC @ 10V
  • Vgs(最大值)
  • ±20V
  • 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)
  • 6500pF @ 25V
  • FET 功能
  • -
  • 功率耗散(最大值)
  • 188W(Tc)
  • 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值)
  • 1.4 毫欧 @ 60A,10V
  • 工作温度
  • -55°C ~ 175°C(TJ)
  • 安装类型
  • 表面贴装
  • 供应商器件封装
  • PowerFlat?(5x6)
  • 封装/外壳
  • 8-PowerVDFN
  • 标准包装
  • 1
STL225N6F7AG 技术参数
  • STL220N6F7 功能描述:MOSFET N-CH 60V 260A 8PWRFLAT 制造商:stmicroelectronics 系列:STripFET? F7 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):60V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):260A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):1.4 毫欧 @ 20A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):100nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):6600pF @ 25V 功率 - 最大值:4.8W 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:8-PowerVDFN 供应商器件封装:PowerFLAT(6x5) 标准包装:1 STL220N3LLH7 功能描述:MOSFET N-CH 30V 220A POWERFLAT56 制造商:stmicroelectronics 系列:DeepGATE?,STripFET? VII 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):30V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):220A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):1.1 毫欧 @ 25A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2.2V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):46nC @ 4.5V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):8650pF @ 25V 功率 - 最大值:113W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:8-PowerSMD,扁平引线 供应商器件封装:PowerFlat?(5x6) 标准包装:1 STL21N65M5 功能描述:MOSFET N-CH 650V 17A POWERFLAT88 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh? V 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):650V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):17A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):179 毫欧 @ 8.5A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):5V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):50nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):1950pF @ 100V 功率 - 最大值:3W 工作温度:150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:4-PowerFlat? HV 供应商器件封装:PowerFlat?(8x8) HV 标准包装:1 STL20NM20N 功能描述:MOSFET N-CH 200V 20A PWRFLAT6X5 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh? II 包装:剪切带(CT) 零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):20A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):105 毫欧 @ 10A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):5V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):50nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):800pF @ 25V 功率 - 最大值:80W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:8-PowerVDFN 供应商器件封装:PowerFlat?(6x5) 标准包装:1 STL20N6F7 功能描述:MOSFET N-CH 60V 100A 制造商:stmicroelectronics 系列:STripFET? F7 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):60V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):100A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):5.4 毫欧 @ 10A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):25nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):1600pF @ 25V 功率 - 最大值:78W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:8-PowerVDFN 供应商器件封装:PowerFlat?(3.3x3.3) 标准包装:1 STL-250-8-01 STL25N15F3 STL25N15F4 STL25N60M2-EP STL260N3LLH6 STL26NM60N STL285N4F7AG STL28N60DM2 STL2N80K5 STL30N10F7 STL30P3LLH6 STL31N65M5 STL-3-250-3-01 STL-3-250-8-01 STL-3-350-3-01 STL-3-350-8-01 STL33N60DM2 STL33N60M2
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