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STL24N60DM2

配单专家企业名单
  • 型号
  • 供应商
  • 数量
  • 厂商
  • 封装
  • 批号
  • 价格
  • 说明
  • 操作
  • STL24N60DM2
    STL24N60DM2

    STL24N60DM2

  • 上海鑫科润电子科技有限公司
    上海鑫科润电子科技有限公司

    联系人:鑫科润

    电话:185210072361851602286718516022897

    地址:上海徐汇区中山南二路1007号

  • 50000

  • STMicroelectronics

  • PowerFlat?

  • 17+

  • -
  • 全新原装现货

  • STL24N60DM2
    STL24N60DM2

    STL24N60DM2

  • 深圳市华创欧科技有限公司
    深圳市华创欧科技有限公司

    联系人:朱先生

    电话:2394575513590206539

    地址:深圳市福田区华强北上步工业区201栋4楼4A68-2室

  • 16600

  • ST

  • QFN

  • 2022+

  • -
  • 原装正品,公司现货库存假一罚十,电话:0...

  • STL24N60DM2
    STL24N60DM2

    STL24N60DM2

  • 中山市翔美达电子科技有限公司
    中山市翔美达电子科技有限公司

    联系人:朱小姐

    电话:155020706551802218672813590991023

    地址:火炬开发区中山港大道99号金盛广场1栋613室

  • 10000

  • ST

  • DIP/SOP

  • 19+

  • -
  • 公司全新原装正品,QQ153058080...

  • STL24N60DM2
    STL24N60DM2

    STL24N60DM2

  • 深圳市畅洲科技有限公司
    深圳市畅洲科技有限公司

    联系人:吴小姐

    电话:8276226215602440816

    地址:深圳市福田区华强北街道华航社区深南中路3018号都会轩2506

    资质:营业执照

  • 10000

  • ST(意法)

  • 8-PowerVDFN

  • 22+

  • -
  • 全新原装正品

  • STL24N60DM2
    STL24N60DM2

    STL24N60DM2

  • 深圳市众芯微电子有限公司
    深圳市众芯微电子有限公司

    联系人:陈小姐

    电话:0755-8320801015711992892

    地址:都会轩3607

    资质:营业执照

  • 86900

  • STMicroelectronics

  • PowerFlat?(8x8) HV

  • 18+

  • -
  • N-CHANNEL 600 V, 0.1...

  • STL24N60DM2
    STL24N60DM2

    STL24N60DM2

  • 北京耐芯威科技有限公司
    北京耐芯威科技有限公司

    联系人:刘先生

    电话:010-62962871629687318256329162961347

    地址:北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1009室

    资质:营业执照

  • 0

  • 原厂封装

  • 10000

  • 16+/17+

  • -
  • 百分百原装正品假一赔十 电话010-62...

  • STL24N60DM2
    STL24N60DM2

    STL24N60DM2

  • 深圳市新纳斯科技有限公司
    深圳市新纳斯科技有限公司

    联系人:王小姐

    电话:0755-8363553213751165621

    地址:深圳市福田区沙头街道新洲二街南溪新苑A606/深圳市福田区振华路高科德电子市场A3810室

    资质:营业执照

  • 337

  • STMicroelectronics

  • 8-PowerVDFN

  • 17+

  • -
  • 原装正品,授权分销商现货库存,价优,货期...

  • STL24N60DM2
    STL24N60DM2

    STL24N60DM2

  • 深圳市华诺星科技有限公司
    深圳市华诺星科技有限公司

    联系人:胡泽君

    电话:18998911795

    地址:深圳市福田区振兴西路上步工业区405栋601-602

    资质:营业执照

  • 1000

  • STMicroelectronics

  • 管件

  • 20+

  • -
  • 原装正品,专注原装正品十五年

  • 1/1页 40条/页 共7条 
  • 1
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  • 功能描述
  • N-CHANNEL 600 V, 0.195 OHM TYP.,
  • 制造商
  • stmicroelectronics
  • 系列
  • MDmesh??
  • 包装
  • 剪切带(CT)
  • 零件状态
  • 在售
  • FET 类型
  • N 沟道
  • 技术
  • MOSFET (Metal Oxide)
  • 漏源极电压(Vdss)
  • 600V
  • 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
  • 15A(Tc)
  • 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值)
  • 220 毫欧 @ 9A,10V
  • 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
  • 5V @ 250μA
  • 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg)
  • 29nC @ 10V
  • 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)
  • 1055pF @ 100V
  • FET 功能
  • -
  • 功率耗散(最大值)
  • *
  • 工作温度
  • -55°C ~ 150°C(TJ)
  • 安装类型
  • 表面贴装
  • 封装/外壳
  • 8-PowerVDFN
  • 供应商器件封装
  • PowerFlat?(8x8) HV
  • 标准包装
  • 1
STL24N60DM2 技术参数
  • STL23NS3LLH7 功能描述:MOSFET N-CH 30V 92A PWRFLAT8 制造商:stmicroelectronics 系列:STripFET? H7 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):30V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):92A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):3.7 毫欧 @ 11.5A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2.3V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):13.7nC @ 4.5V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):2100pF @ 15V 功率 - 最大值:50W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:8-PowerVDFN 供应商器件封装:PowerFlat?(3.3x3.3) 标准包装:1 STL23NM60ND 功能描述:MOSFET N-CH 600V 19.5A POWERFLAT 制造商:stmicroelectronics 系列:FDmesh?? II 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):600V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):19.5A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):180 毫欧 @ 10A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):5V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):70nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):2050pF @ 50V 功率 - 最大值:3W 工作温度:150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:4-PowerFlat? HV 供应商器件封装:PowerFlat?(8x8) HV 标准包装:1 STL23NM50N 功能描述:MOSFET N-CH 500V 2.8A PWRFLT 8X8 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh? II 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):500V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):2.8A(Ta),14A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):210 毫欧 @ 7A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):45nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):1330pF @ 50V 功率 - 最大值:3W 工作温度:150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:4-PowerFlat? HV 供应商器件封装:PowerFlat?(8x8) HV 标准包装:1 STL22N65M5 功能描述:MOSFET N CH 650V 15A PWRFLT8X8HV 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh? V 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):650V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):15A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):210 毫欧 @ 8.5A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):5V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):36nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):1345pF @ 100V 功率 - 最大值:110W 工作温度:150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:4-PowerFlat? HV 供应商器件封装:PowerFlat?(8x8) HV 标准包装:1 STL225N6F7AG 功能描述:MOSFET N-CH 60V 120A POWERFLAT 制造商:stmicroelectronics 系列:STripFET? F7 包装:剪切带(CT) 零件状态:在售 FET 类型:N 沟道 技术:MOSFET(金属氧化物) 漏源电压(Vdss):60V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):120A(Tc) 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值):98nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):6500pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散(最大值):188W(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):1.4 毫欧 @ 60A,10V 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:表面贴装 供应商器件封装:PowerFlat?(5x6) 封装/外壳:8-PowerVDFN 标准包装:1 STL26NM60N STL285N4F7AG STL28N60DM2 STL2N80K5 STL30N10F7 STL30P3LLH6 STL31N65M5 STL-3-250-3-01 STL-3-250-8-01 STL-3-350-3-01 STL-3-350-8-01 STL33N60DM2 STL33N60M2 STL33N65M2 STL-3-450-3-01 STL-3-450-8-01 STL34N65M5 STL-350-3-01
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