STL33N60DM2全国供应商 STL33N60DM2资料|PDF Datasheet|价格【ST 意法半导体】

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说明
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STL33N60DM2
北京耐芯威科技有限公司
北京耐芯威科技有限公司
联系人：刘先生
电话：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1009室
资质：营业执照
0
原厂封装
10000
16+/17+
-
百分百原装正品假一赔十电话010-62...

STL33N60DM2
北京天阳诚业科贸有限公司
北京天阳诚业科贸有限公司
联系人：洪先生
电话：17862669251
地址：北京市海淀区安宁庄西路9号院29号楼金泰富地大厦503
资质：营业执照
0
STMICROELECTRONICS
con
24+
-
集成电路（IC）

STL33N60DM2
深圳市英科美电子有限公司
深圳市英科美电子有限公司
联系人：张先生
电话：0755-23903058
地址：深圳市福田区振兴路西101号华匀大厦1栋7F
16800
ST/意法
POWERFLAT8X8
22+
-
每一片都来自原厂，正品保证

STL33N60DM2
深圳市华芯盛世科技有限公司
深圳市华芯盛世科技有限公司
联系人：唐先生
电话：0755-8322569219129381337（微信同号）
地址：广东省深圳市福田区上步工业区201栋316室。
865000
STM
原厂封装
最新批号
-
一级代理.原装特价现货！

STL33N60DM2
深圳市亿联芯电子科技有限公司
深圳市亿联芯电子科技有限公司
联系人：吴经理
电话：18138401919
地址：深圳市福田区赛格科技园四栋中6楼6K31
69880
ST
PowerFLAT-8x8-HV-5
2021+
-
★★正规渠道★原厂正品最新货源现货供应★...

STL33N60DM2
北京京北通宇电子元件有限公司
北京京北通宇电子元件有限公司
联系人：张
电话：18724450645
地址：北京市海淀区安宁庄西路9号院29号楼5层505室
资质：营业执照
0
STMICROELECTRONICS
con
24+
-
集成电路（IC）

STL33N60DM2
深圳市华芯源电子有限公司
深圳市华芯源电子有限公司
联系人：张小姐
电话：1501927513013823545558
地址：深圳市福田区华强路华强广场D座16层18B
资质：营业执照
6002
ST/意法半导体
PowerFLAT-8x8-HV-5
22+
-
原装正品现货可开增值税发票

STL33N60DM2
深圳市百域芯科技有限公司
深圳市百域芯科技有限公司
联系人：汪小姐
电话：19240207240
地址：华强北都会轩4507
资质：营业执照
5000
ST/意法
NA
24+
-
优势供应品质保障可开13点发票

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功能描述
N-CHANNEL 600 V, 0.115 OHM TYP.,
制造商
stmicroelectronics
系列
MDmesh??
包装
剪切带（CT）
零件状态
在售
FET 类型
N 沟道
技术
MOSFET (Metal Oxide)
漏源极电压（Vdss）
600V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
21A（Tc）
不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）
140 毫欧 @ 10.5A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
5V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）
43nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）
1870pF @ 100V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
*
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
表面贴装
封装/外壳
8-PowerVDFN
供应商器件封装
PowerFlat?（8x8） HV
标准包装
1

STL33N60DM2 技术参数

STL31N65M5 功能描述:MOSFET N-CH 650V 15A PWRFLAT88 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh? V 包装:剪切带（CT）零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:650V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:2.8A（Ta），15A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:162 毫欧 @ 11A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:45nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:1865pF @ 100V 功率 - 最大值:125W 工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:4-PowerFlat? HV 供应商器件封装:PowerFlat?（8x8） HV 标准包装:1 STL30P3LLH6 功能描述:MOSFET P-CH 30V 30A POWERFLAT 制造商:stmicroelectronics 系列:DeepGATE?，STripFET? VI 包装:剪切带（CT）零件状态:有效 FET 类型:MOSFET P 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:30V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:30A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:30 毫欧 @ 4.5A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:1V @ 250μA（最小）不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:12nC @ 4.5V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:1450pF @ 25V 功率 - 最大值:75W 工作温度:175°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:8-PowerSMD，扁平引线供应商器件封装:PowerFlat?（5x6）标准包装:1 STL30N10F7 功能描述:MOSFET N-CH 100V 8A PWRFLAT56 制造商:stmicroelectronics 系列:DeepGATE?，STripFET? VII 包装:剪切带（CT）零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:100V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:30A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:35 毫欧 @ 4A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4.5V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:14nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:920pF @ 50V 功率 - 最大值:75W 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:8-PowerVDFN 供应商器件封装:PowerFlat?（5x6）标准包装:1 STL2N80K5 功能描述:MOSFET N-CH 800V 2A PWRFLAT56 制造商:stmicroelectronics 系列:SuperMESH5?? 包装:剪切带（CT）零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:800V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:2A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:4.9 欧姆 @ 1A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 100μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:3nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:95pF @ 100V 功率 - 最大值:33W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:8-PowerVDFN 供应商器件封装:PowerFlat?（5x6）标准包装:1 STL26NM60N 功能描述:MOSFET N-CH 600V 19A POWERFLAT 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh? II 包装:剪切带（CT）零件状态:停产 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:600V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:2.7A（Ta），19A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:185 毫欧 @ 10A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:60nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:1800pF @ 50V 功率 - 最大值:3W 工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:4-PowerFlat? HV 供应商器件封装:PowerFlat?（8x8） HV 标准包装:1 STL-3-600-3-01 STL-3-600-8-01 STL36DN6F7 STL36N55M5 STL-3-750-3-01 STL-3-750-8-01 STL38N65M5 STL3N10F7 STL3N65M2 STL3N80K5 STL3NK40 STL3NM60N STL3P6F6 STL40C30H3LL STL40DN3LLH5 STL40N10F7 STL40N75LF3 STL42N65M5

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