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STL19N60M2

配单专家企业名单
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    STL19N60M2

    STL19N60M2

  • 深圳市众芯微电子有限公司
    深圳市众芯微电子有限公司

    联系人:陈小姐

    电话:0755-8320801015711992892

    地址:都会轩3607

    资质:营业执照

  • 86900

  • STMicroelectronics

  • PowerFlat?(8x8) HV

  • 18+

  • -
  • MOSFET NCH 600V 11A ...

  • STL19N60M2
    STL19N60M2

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  • 上海鑫科润电子科技有限公司
    上海鑫科润电子科技有限公司

    联系人:鑫科润

    电话:185210072361851602286718516022897

    地址:上海徐汇区中山南二路1007号

  • 50000

  • STMicroelectronics

  • PowerFlat?

  • 17+

  • -
  • 全新原装现货

  • STL19N60M2
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  • 深圳市思诺康科技有限公司
    深圳市思诺康科技有限公司

    联系人:张小姐/Vivianvi

    电话:0755-83276452

    地址:坂田坂雪岗大道中兴路105号儒骏大厦5楼503室

  • 50

  • STM

  • 21+

  • ORIGINAL

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  • 全新原装5天

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    STL19N60M2

    STL19N60M2

  • 中山市翔美达电子科技有限公司
    中山市翔美达电子科技有限公司

    联系人:朱小姐

    电话:155020706551802218672813590991023

    地址:火炬开发区中山港大道99号金盛广场1栋613室

  • 10000

  • ST

  • DIP/SOP

  • 19+

  • -
  • 公司全新原装正品,QQ153058080...

  • STL19N60M2
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  • 深圳市华诺星科技有限公司
    深圳市华诺星科技有限公司

    联系人:胡泽君

    电话:18998911795

    地址:深圳市福田区振兴西路上步工业区405栋601-602

    资质:营业执照

  • 1000

  • STMicroelectronics

  • -

  • 20+

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  • 原装正品,专注原装正品十五年

  • STL19N60M2
    STL19N60M2

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  • 深圳市鸿昌盛电子科技有限公司
    深圳市鸿昌盛电子科技有限公司

    联系人:朱先生

    电话:13168731828

    地址:深圳市福田区华强北路上步工业区101栋五楼515

    资质:营业执照

  • 5000

  • ST/意法

  • 原厂封装

  • 21+

  • -
  • 全新进口原装

  • STL19N60M2
    STL19N60M2

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  • 深圳市鹏威尔科技有限公司
    深圳市鹏威尔科技有限公司

    联系人:胡庆伟

    电话:13138879988

    地址:深圳市宝安区新安街道翻身路117号 富源商贸中心D栋601

  • 50

  • STM

  • ORIGONAL

  • 16+

  • -
  • 1.41364 USD,szpoweri...

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STL19N60M2 PDF下载 图文及资料仅供参考,以实际PDF为准
STL19N60M2 技术参数
  • STL19N60DM2 功能描述:N-CHANNEL 600 V, 0.28 OHM TYP., 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh?? 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):600V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):11A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):320 毫欧 @ 5.5A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):5V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):21nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):- 功率 - 最大值:90W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:8-PowerVDFN 供应商器件封装:PowerFlat?(8x8) HV 标准包装:1 STL190N4F7AG 功能描述:POWER TRANSISTORS 制造商:stmicroelectronics 系列:* 零件状态:新产品 标准包装:1 STL18NM60N 功能描述:MOSFET N-CH 600V 6A POWERFLAT 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh? II 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):600V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):2.1A(Ta),12A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):310 毫欧 @ 6A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):35nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):1000pF @ 50V 功率 - 最大值:110W 工作温度:150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:4-PowerFlat? HV 供应商器件封装:PowerFlat?(8x8) HV 标准包装:1 STL18N65M5 功能描述:MOSFET N-CH 650V POWERFLAT5X6 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh? V 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):650V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):15A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):240 毫欧 @ 7.5A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):5V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):31nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):1240pF @ 100V 功率 - 最大值:57W 工作温度:150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:8-PowerVDFN 供应商器件封装:PowerFlat?(5x6) 标准包装:1 STL18N65M2 功能描述:MOSFET N-CH 650V 8A POWERFLAT 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh? M2 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):650V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):8A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):365 毫欧 @ 4A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):21.5nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):764pF @ 100V 功率 - 最大值:57W 工作温度:150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:8-PowerVDFN 供应商器件封装:PowerFlat?(5x6) 标准包装:1 STL220N3LLH7 STL220N6F7 STL225N6F7AG STL22N65M5 STL23NM50N STL23NM60ND STL23NS3LLH7 STL24N60DM2 STL24N60M2 STL24N65M2 STL24NM60N STL-250-3-01 STL-250-8-01 STL25N15F3 STL25N15F4 STL25N60M2-EP STL260N3LLH6 STL26NM60N
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