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STL19N60M2

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  • 甄芯网
    甄芯网

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    电话:0755-836658130755-83465652

    地址:深南中路佳和大厦B座907

  • 1130

  • ST

  • PowerFLAT-8x8-5

  • 1810+

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  • 全新原装进口

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  • 深圳市华芯源电子有限公司
    深圳市华芯源电子有限公司

    联系人:张小姐

    电话:1501927513013823545558

    地址:深圳市福田区华强路华强广场D座16层18B

    资质:营业执照

  • 6005

  • ST/意法半导体

  • PowerFLAT-8x8-HV-5

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  • 天阳诚业科贸有限公司
    天阳诚业科贸有限公司

    联系人:洪宝宇

    电话:17862669251

    地址:北京市海淀区安宁庄西路9号院29号楼金泰富地大厦503

    资质:营业执照

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  • 北京京北通宇电子元件有限公司
    北京京北通宇电子元件有限公司

    联系人:洪宝宇

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    地址:北京市海淀区安宁庄西路9号院29号楼金泰富地大厦505(京北通宇)

    资质:营业执照

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  • 深圳市德力诚信科技有限公司
    深圳市德力诚信科技有限公司

    联系人:王小姐

    电话:13969210552

    地址:上海市静安区恒丰路568号恒汇国际大厦903室

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  • 深圳市鹏威尔科技有限公司
    深圳市鹏威尔科技有限公司

    联系人:胡庆伟

    电话:13138879988

    地址:深圳市宝安区新安街道翻身路117号 富源商贸中心D栋601

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STL19N60M2 技术参数
  • STL19N60DM2 功能描述:N-CHANNEL 600 V, 0.28 OHM TYP., 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh?? 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):600V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):11A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):320 毫欧 @ 5.5A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):5V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):21nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):- 功率 - 最大值:90W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:8-PowerVDFN 供应商器件封装:PowerFlat?(8x8) HV 标准包装:1 STL190N4F7AG 功能描述:POWER TRANSISTORS 制造商:stmicroelectronics 系列:* 零件状态:新产品 标准包装:1 STL18NM60N 功能描述:MOSFET N-CH 600V 6A POWERFLAT 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh? II 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):600V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):2.1A(Ta),12A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):310 毫欧 @ 6A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):35nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):1000pF @ 50V 功率 - 最大值:110W 工作温度:150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:4-PowerFlat? HV 供应商器件封装:PowerFlat?(8x8) HV 标准包装:1 STL18N65M5 功能描述:MOSFET N-CH 650V POWERFLAT5X6 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh? V 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):650V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):15A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):240 毫欧 @ 7.5A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):5V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):31nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):1240pF @ 100V 功率 - 最大值:57W 工作温度:150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:8-PowerVDFN 供应商器件封装:PowerFlat?(5x6) 标准包装:1 STL18N65M2 功能描述:MOSFET N-CH 650V 8A POWERFLAT 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh? M2 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):650V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):8A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):365 毫欧 @ 4A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):21.5nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):764pF @ 100V 功率 - 最大值:57W 工作温度:150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:8-PowerVDFN 供应商器件封装:PowerFlat?(5x6) 标准包装:1 STL220N3LLH7 STL220N6F7 STL225N6F7AG STL22N65M5 STL23NM50N STL23NM60ND STL23NS3LLH7 STL24N60DM2 STL24N60M2 STL24N65M2 STL24NM60N STL-250-3-01 STL-250-8-01 STL25N15F3 STL25N15F4 STL25N60M2-EP STL260N3LLH6 STL26NM60N
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