STB25NF06L

配单专家企业名单

型号
供应商
数量
厂商
封装
批号
价格
说明
操作

STB25NF06L
无锡固电半导体股份有限公司
无锡固电半导体股份有限公司
联系人：张小姐
电话：15961889159
地址：江苏省无锡市新区新梅路68号
资质：营业执照
5000
isc,iscsemi
D2PAK/TO-263
2024+
-
国产品牌，可替代原装

STB25NF06LAG
深圳市铭昌源科技有限公司
深圳市铭昌源科技有限公司
联系人：优质现货代理商
电话：0755-82774613邓先生（13480915249）微信同步0755-82774613邓先生
地址：深圳市福田区工发路上步管理大厦501栋501室
资质：营业执照
58166
STMicroelectronics
SMD
22+
-
优势代理，公司现货可开票

STB25NF06LAG
深圳市华芯源电子有限公司
深圳市华芯源电子有限公司
联系人：张小姐
电话：1501927513013823545558
地址：深圳市福田区华强路华强广场D座16层16B
资质：营业执照
569888
ST意法
N/A
21+
-
原装正品现货，支持BOM配单！

STB25NF06LAG
深圳市新纳斯科技有限公司
深圳市新纳斯科技有限公司
联系人：王小姐
电话：0755-8363553213751165621
地址：深圳市福田区沙头街道新洲二街南溪新苑A606/深圳市福田区振华路高科德电子市场A3810室
资质：营业执照
2000
STMicroelectronics
TO-263-3
17+
-
原装正品，授权分销商现货库存，价优，货期...

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STB25NF06L 技术参数

STB25N80K5 功能描述:MOSFET N-CH 800V 19.5A D2PAK 制造商:stmicroelectronics 系列:SuperMESH5?? 包装:剪切带（CT）零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:800V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:19.5A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:260 毫欧 @ 19.5A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 100μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:40nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:1600pF @ 100V 功率 - 最大值:250W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-263-3，D2Pak（2 引线+接片），TO-263AB 供应商器件封装:D2PAK 标准包装:1 STB24NM65N 功能描述:MOSFET N-CH 650V 19A D2PAK 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh? II 包装:剪切带（CT）零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:650V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:19A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:190 毫欧 @ 9.5A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:70nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:2500pF @ 50V 功率 - 最大值:160W 工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-263-3，D2Pak（2 引线+接片），TO-263AB 供应商器件封装:D2PAK 标准包装:1 STB24NM60N 功能描述:MOSFET N-CH 600V 17A D2PAK 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh? II 包装:剪切带（CT）零件状态:停产 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:600V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:17A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:190 毫欧 @ 8A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:46nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:1400pF @ 50V 功率 - 最大值:125W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-263-3，D2Pak（2 引线+接片），TO-263AB 供应商器件封装:D2PAK 标准包装:1 STB24N65M2 功能描述:MOSFET N-CH 650V 16A D2PAK 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh? M2 包装:剪切带（CT）零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:650V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:16A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:230 毫欧 @ 8A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:29nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:1060pF @ 100V 功率 - 最大值:150W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-263-3，D2Pak（2 引线+接片），TO-263AB 供应商器件封装:D2PAK 标准包装:1 STB24N60M2 功能描述:MOSFET N-CH 600V 18A D2PAK 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh? II Plus 包装:剪切带（CT）零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:600V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:18A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:190 毫欧 @ 9A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:29nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:1060pF @ 100V 功率 - 最大值:150W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-263-3，D2Pak（2 引线+接片），TO-263AB 供应商器件封装:D2PAK 标准包装:1 STB270N4F3 STB27NM60ND STB28N60DM2 STB28N60M2 STB28N65M2 STB28NM50N STB28NM60ND STB2N62K3 STB300NH02L STB30100CTR STB30100TR STB30150CTR STB30200CTR STB3060CTR STB30N65M5 STB30N80K5 STB30NF10T4 STB30NF20