STF28N65M2全国供应商 STF28N65M2资料|PDF Datasheet|价格【ST 意法半导体】

配单专家企业名单

型号
供应商
数量
厂商
封装
批号
价格
说明
操作

STF28N65M2
深圳市英科美电子有限公司
深圳市英科美电子有限公司
联系人：张先生
电话：0755-23903058
地址：深圳市福田区振兴路西101号华匀大厦1栋7F
16800
ST/意法
TO-220F
22+
-
每一片都来自原厂，正品保证

STF28N65M2
深圳市欧和宁电子有限公司
深圳市欧和宁电子有限公司
联系人：李先生
电话：0755-292759351581559886118576729816
地址：广东省深圳市福田区华强北赛格科技园6C18室
39800
ST
TO-220F
新年份
-
一级代理全新原装现货特价！

STF28N65M2
北京天阳诚业科贸有限公司
北京天阳诚业科贸有限公司
联系人：洪先生
电话：17862669251
地址：北京市海淀区安宁庄西路9号院29号楼金泰富地大厦503
资质：营业执照
10
STMICROELECTRONICS
con
24+
-
集成电路（IC）

STF28N65M2
北京耐芯威科技有限公司
北京耐芯威科技有限公司
联系人：刘先生
电话：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1009室
资质：营业执照
0
原厂封装
10000
16+/17+
-
百分百原装正品假一赔十电话010-62...

STF28N65M2
深圳市毅创辉电子科技有限公司
深圳市毅创辉电子科技有限公司
联系人：雷春艳
电话：19129493934（手机优先微信同号）0755-83266697
地址：深圳市福田区华强北街道华强北路1016号宝华大厦A座2028室
资质：营业执照
3770
STMICROEL
1521+
-
全新原装现货

STF28N65M2
深圳市百润电子有限公司
深圳市百润电子有限公司
联系人：梁
电话：17876146278
地址：沙头街道下沙社区滨河路9289号下沙村京基滨河时代广场D1栋26A
800
ST
TO-220F
20+
-
全新原装正品*海量现货库存*全网最低

STF28N65M2
深圳市华芯盛世科技有限公司
深圳市华芯盛世科技有限公司
联系人：唐先生
电话：0755-8322569219129381337（微信同号）
地址：广东省深圳市福田区上步工业区201栋316室。
8650000
ST
TO-220FP
最新批号
-
一级代理.原装特价现货！

STF28N65M2
北京京北通宇电子元件有限公司
北京京北通宇电子元件有限公司
联系人：张
电话：18724450645
地址：北京市海淀区安宁庄西路9号院29号楼5层505室
资质：营业执照
10
STMICROELECTRONICS
con
24+
-
集成电路（IC）

STF28N65M2
深圳市华芯源电子有限公司
深圳市华芯源电子有限公司
联系人：张小姐
电话：1501927513013823545558
地址：深圳市福田区华强路华强广场D座16层18B
资质：营业执照
6004
ST/意法半导体
TO-220FP-3
22+
-
原装正品现货可开增值税发票

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1

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功能描述
MOSFET N-CH 650V 20A TO220FP
制造商
stmicroelectronics
系列
MDmesh? M2
包装
管件
零件状态
有效
FET 类型
MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 功能
标准
漏源极电压（Vdss）
650V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
20A（Tc）
不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）
180 毫欧 @ 10A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
4V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）
35nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）
1440pF @ 100V
功率 - 最大值
30W
工作温度
150°C（TJ）
安装类型
通孔
封装/外壳
TO-220-3 整包
供应商器件封装
TO-220FP
标准包装
50

STF28N65M2 技术参数

STF28N60M2 功能描述:MOSFET N-CH 600V 24A TO220FP 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh? II Plus 包装:管件零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:600V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:24A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:150 毫欧 @ 12A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:37nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:1370pF @ 100V 功率 - 最大值:30W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:TO-220-3 整包供应商器件封装:TO-220FP 标准包装:50 STF28N60DM2 功能描述:MOSFET N-CH 600V 21A 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh? DM2 包装:管件零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:600V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:21A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:160 毫欧 @ 10.5A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:34nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:1500pF @ 100V 功率 - 最大值:30W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:TO-220-3 整包供应商器件封装:TO-220FP 标准包装:50 STF27N60M2-EP 功能描述:MOSFET N-CH 600V 20A TO-220FP 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh?? 包装:管件零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:600V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:20A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:163 毫欧 @ 10A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:33nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:1320pF @ 100V 功率 - 最大值:30W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:TO-220-3 整包供应商器件封装:TO-220FP 标准包装:50 STF26NM60ND 功能描述:MOSFET N-CH 600V 21A TO220FP 制造商:stmicroelectronics 系列:FDmesh?? II 包装:管件零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:600V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:21A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:175 毫欧 @ 10.5A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:54.6nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:1817pF @ 100V 功率 - 最大值:35W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:TO-220-3 整包供应商器件封装:TO-220FP 标准包装:50 STF26NM60N 功能描述:MOSFET N-CH 600V 20A TO-220F 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh? II 包装:管件零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:600V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:20A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:165 毫欧 @ 10A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:60nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:1800pF @ 50V 功率 - 最大值:35W 工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:TO-220-3 整包供应商器件封装:TO-220FP 标准包装:50 STF30120C STF30120CR STF30150C STF30150CR STF30200C STF30200CR STF3045C STF3060C STF3060CR STF30N10F7 STF30N65M5 STF30NM50N STF30NM60N STF30NM60ND STF31N65M5 STF32N65M5 STF32NM50N STF33N60DM2