STF3LN80K5

配单专家企业名单

型号
供应商
数量
厂商
封装
批号
价格
说明
操作

STF3LN80K5
现货
集好芯城
集好芯城
联系人：连小姐 18126238167
电话：0755-82795565
地址：深圳市福田区深南中路汉国城市商业中心55层香港新界葵兴葵康大厦6楼
资质：营业执照
50000
ST/意法
TO-220
26+
-
原装原厂正品现货

STF3LN80K5
现货
上海航霆电子技术有限公司
上海航霆电子技术有限公司
联系人：林生18701789587
电话：0755-8374259418701789587
地址：上海徐汇区漕溪路222号航天大厦16层
900
STM
SOP
18+
-
全新原厂原装正品，只做原装，可开增票

STF3LN80K5
深圳市三砖科技有限公司
深圳市三砖科技有限公司
联系人：黄先生
电话：18823887255
地址：深圳市福田区华强北街道华航社区红荔路3003号上步工业区201栋588
资质：营业执照
6500
ST
TO220
25+
-
全新原装正品现货，全网好价

STF3LN80K5
深圳市琦凌凯科技有限公司
深圳市琦凌凯科技有限公司
联系人：彭先生
电话：1331648214913352991361
地址：深圳市福田区华强北街道荔村社区振兴路120号赛格科技园4栋中10层10A28
资质：营业执照
6000
ST
TO-220FP-3
22+
-
十年配单，只做原装

STF3LN80K5
深圳市芯驰科技有限公司
深圳市芯驰科技有限公司
联系人：丁皓鹏
电话：1866538497818124166365
地址：福田街道深南中路3029号南光捷佳大厦2331
资质：营业执照
900
STM
TO-220FP-3
18+
-
原装现货，假一赔百,支持实单

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功能描述
MOSFET N-CH 800V 2A TO220FP
制造商
stmicroelectronics
系列
MDmesh? K5
包装
管件
零件状态
在售
FET 类型
N 沟道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
800V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
2A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
5V @ 100μA
不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）
2.63nC @ 10V
Vgs（最大值）
±30V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
102pF @ 100V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
20W（Tc）
不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）
3.25 欧姆 @ 1A，10V
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
通孔
供应商器件封装
TO-220FP
封装/外壳
TO-220-3 整包
标准包装
1,000

STF3LN80K5 技术参数

STF3LN62K3 功能描述:MOSFET N-CH 620V 2.5A TO-220FP 制造商:stmicroelectronics 系列:SuperMESH3?? 包装:管件零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:620V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:2.5A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:3 欧姆 @ 1.25A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4.5V @ 50μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:17nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:386pF @ 50V 功率 - 最大值:20W 工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:TO-220-3 整包供应商器件封装:TO-220FP 标准包装:50 STF3HNK90Z 功能描述:MOSFET N-CH 800V 3A TO220FP 制造商:stmicroelectronics 系列:SuperMESH?? 包装:管件零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:800V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:3A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:4.2 欧姆 @ 1.5A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4.5V @ 50μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:35nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:690pF @ 25V 功率 - 最大值:25W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:TO-220-3 整包供应商器件封装:TO-220FP 标准包装:50 STF38N65M5 功能描述:MOSFET N-CH 650V 30A TO-220FP 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh? V 包装:管件零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:650V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:30A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:95 毫欧 @ 15A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:71nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:3000pF @ 100V 功率 - 最大值:35W 工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:TO-220-3 整包供应商器件封装:TO-220FP 标准包装:50 STF35N65M5 功能描述:MOSFET N-CH 650V 27A TO-220FP 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh? V 包装:管件零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:650V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:27A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:98 毫欧 @ 13.5A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:83nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:3750pF @ 100V 功率 - 最大值:40W 工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:TO-220-3 整包供应商器件封装:TO-220FP 标准包装:50 STF35N60DM2 功能描述:MOSFET N-CH 600V 28A 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh? DM2 包装:管件零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:600V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:28A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:110 毫欧 @ 14A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:54nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:2400pF @ 100V 功率 - 最大值:40W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:TO-220-3 整包供应商器件封装:TO-220FP 标准包装:50 STF4080C STF40N20 STF40N60M2 STF40N65M2 STF40NF03L STF40NF06 STF40NF20 STF42N60M2-EP STF42N65M5 STF43N60DM2 STF45N10F7 STF45N65M5 STF4LN80K5 STF4N52K3 STF4N62K3 STF4N80K5 STF4N90K5 STF4NK50ZD