STF40100C

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说明
操作

STF40100C
北京耐芯威科技有限公司
北京耐芯威科技有限公司
联系人：刘先生
电话：010-62962871629687318256329162961347
地址：北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1009室
资质：营业执照
0
原厂封装
10000
16+/17+
-
只做原装正品欢迎洽谈电话010-62...

STF40100C
深圳市新纳斯科技有限公司
深圳市新纳斯科技有限公司
联系人：王小姐
电话：0755-8363553213751165621
地址：深圳市福田区沙头街道新洲二街南溪新苑A606/深圳市福田区振华路高科德电子市场A3810室
资质：营业执照
1000
SMC Diode Solutions
TO-220-3 隔离片
17+
-
原装正品，授权分销商现货库存，价优，货期...

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功能描述
DIODE ARRAY SCHOTTKY 100V ITO220
制造商
smc diode solutions
系列
-
包装
管件
零件状态
有效
二极管配置
1 对共阴极
二极管类型
肖特基
电压 - DC 反向（Vr）（最大值）
100V
电流 - 平均整流（Io）（每二极管）
-
不同 If 时的电压 - 正向（Vf）
750mV @ 20A
速度
快速恢复 = 200mA（Io）
反向恢复时间（trr）
-
不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流
1mA @ 100V
安装类型
通孔
封装/外壳
TO-220-3 隔离片
供应商器件封装
ITO-220AB
标准包装
50

STF40100C 技术参数

STF3NK80Z 功能描述:MOSFET N-CH 800V 2.5A TO220FP 制造商:stmicroelectronics 系列:SuperMESH?? 包装:管件零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:800V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:2.5A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:4.5 欧姆 @ 1.25A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4.5V @ 50μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:19nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:485pF @ 25V 功率 - 最大值:25W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:TO-220-3 整包供应商器件封装:TO-220FP 标准包装:50 STF3NK100Z 功能描述:MOSFET N-CH 1000V 2.5A TO-220FP 制造商:stmicroelectronics 系列:SuperMESH?? 包装:管件零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:1000V（1kV）电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:2.5A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:6 欧姆 @ 1.25A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4.5V @ 50μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:18nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:601pF @ 25V 功率 - 最大值:25W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:TO-220-3 整包供应商器件封装:TO-220FP 标准包装:50 STF3N80K5 功能描述:MOSFET N-CH 800V 2.5A TO220FP 制造商:stmicroelectronics 系列:SuperMESH5?? 包装:管件零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:800V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:2.5A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:3.5 欧姆 @ 1A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 100μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:9.5nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:130pF @ 100V 功率 - 最大值:20W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:TO-220-3 整包供应商器件封装:TO-220FP 标准包装:50 STF3N62K3 功能描述:MOSFET N-CH 620V 2.7A TO-220FP 制造商:stmicroelectronics 系列:SuperMESH3?? 包装:管件零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:620V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:2.7A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:2.5 欧姆 @ 1.4A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4.5V @ 50μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:13nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:385pF @ 25V 功率 - 最大值:20W 工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:TO-220-3 整包供应商器件封装:TO-220FP 标准包装:50 STF3LN80K5 功能描述:MOSFET N-CH 800V 2A TO220FP 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh? K5 包装:管件零件状态:在售 FET 类型:N 沟道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）:800V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:2A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 100μA 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）:2.63nC @ 10V Vgs（最大值）:±30V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:102pF @ 100V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:20W（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:3.25 欧姆 @ 1A，10V 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:通孔供应商器件封装:TO-220FP 封装/外壳:TO-220-3 整包标准包装:1,000 STF40NF06 STF40NF20 STF42N60M2-EP STF42N65M5 STF43N60DM2 STF45N10F7 STF45N65M5 STF4LN80K5 STF4N52K3 STF4N62K3 STF4N80K5 STF4N90K5 STF4NK50ZD STF57N65M5 STF5N105K5 STF5N52K3 STF5N52U STF5N60M2