STGB19NC60S

配单专家企业名单

型号
供应商
数量
厂商
封装
批号
价格
说明
操作

STGB19NC60S
无锡固电半导体股份有限公司
无锡固电半导体股份有限公司
联系人：张小姐
电话：15961889159
地址：江苏省无锡市新区新梅路68号
资质：营业执照
5000
isc,iscsemi
D2PAK/TO-263
2024+
-
国产品牌，可替代原装

STGB19NC60S
深圳市琦凌凯科技有限公司
深圳市琦凌凯科技有限公司
联系人：彭先生
电话：1331648214918276240346
地址：深圳市福田区华强北街道荔村社区振兴路120号赛格科技园4栋中10层10A19
资质：营业执照
6000
ST
D2PAK
22+
-
十年配单，只做原装

STGB19NC60S
深圳市华芯盛世科技有限公司
深圳市华芯盛世科技有限公司
联系人：朱先生/李小姐
电话：0755-2394163213723794312（微信同号）
地址：广东省深圳市福田区上步工业区201栋530室。
865000
ST
D2PAK
最新批号
-
代理此型号，原装正品现货！

STGB19NC60S
深圳市华芯源电子有限公司
深圳市华芯源电子有限公司
联系人：张小姐
电话：1501927513013823545558
地址：深圳市福田区华强路华强广场D座16层16B
资质：营业执照
18378
ST/意法
D2PAK
22+
-

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1

您是不是要找： STGB19NC60WT4 STGB20H60DF STGB20M65DF2 STGB20N40LZ STGB20N45LZAG STGB20NB32LZ STGB20NB37LZ STGB20NB37LZT4 STGB20NB41LZT4

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STGB19NC60S 技术参数

STGB19NC60KT4 功能描述:IGBT 600V 35A 125W D2PAK 制造商:stmicroelectronics 系列:PowerMESH?? 包装:剪切带（CT）零件状态:过期 IGBT 类型:- 电压 - 集射极击穿（最大值）:600V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:35A 脉冲电流 - 集电极 (Icm):75A 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）:2.75V @ 15V，12A 功率 - 最大值:125W 开关能量:165μJ（开），255μJ（关）输入类型:标准栅极电荷:55nC 25°C 时 Td（开/关）值:30ns/105ns 测试条件:480V，12A，10 欧姆，15V 反向恢复时间（trr）:- 封装/外壳:TO-263-3，D2Pak（2 引线+接片），TO-263AB 安装类型:表面贴装供应商器件封装:D2PAK 标准包装:1 STGB19NC60KDT4 功能描述:IGBT 600V 35A 125W D2PAK 制造商:stmicroelectronics 系列:PowerMESH?? 包装:剪切带（CT）零件状态:有效 IGBT 类型:- 电压 - 集射极击穿（最大值）:600V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:35A 脉冲电流 - 集电极 (Icm):75A 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）:2.75V @ 15V，12A 功率 - 最大值:125W 开关能量:165μJ（开），255μJ（关）输入类型:标准栅极电荷:55nC 25°C 时 Td（开/关）值:30ns/105ns 测试条件:480V，12A，10 欧姆，15V 反向恢复时间（trr）:31ns 封装/外壳:TO-263-3，D2Pak（2 引线+接片），TO-263AB 安装类型:表面贴装供应商器件封装:D2PAK 标准包装:1 STGB19NC60HDT4 功能描述:IGBT 600V 40A 130W D2PAK 制造商:stmicroelectronics 系列:PowerMESH?? 包装:剪切带（CT）零件状态:有效 IGBT 类型:- 电压 - 集射极击穿（最大值）:600V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:40A 脉冲电流 - 集电极 (Icm):60A 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）:2.5V @ 15V，12A 功率 - 最大值:130W 开关能量:85μJ（开），189μJ（关）输入类型:标准栅极电荷:53nC 25°C 时 Td（开/关）值:25ns/97ns 测试条件:390V，12A，10 欧姆，15V 反向恢复时间（trr）:31ns 封装/外壳:TO-263-3，D2Pak（2 引线+接片），TO-263AB 安装类型:表面贴装供应商器件封装:D2PAK 标准包装:1 STGB18N40LZT4 功能描述:IGBT 420V 30A 150W D2PAK 制造商:stmicroelectronics 系列:PowerMESH?? 包装:剪切带（CT）零件状态:有效 IGBT 类型:- 电压 - 集射极击穿（最大值）:420V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:30A 脉冲电流 - 集电极 (Icm):40A 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）:1.7V @ 4.5V，10A 功率 - 最大值:150W 开关能量:- 输入类型:逻辑栅极电荷:29nc 25°C 时 Td（开/关）值:650ns/13.5μs 测试条件:300V，10A，5V 反向恢复时间（trr）:- 封装/外壳:TO-263-3，D2Pak（2 引线+接片），TO-263AB 安装类型:表面贴装供应商器件封装:D2PAK 标准包装:1 STGB15M65DF2 功能描述:TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT M SE 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:有效 IGBT 类型:沟槽型场截止电压 - 集射极击穿（最大值）:650V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:30A 脉冲电流 - 集电极 (Icm):60A 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）:2V @ 15V，15A 功率 - 最大值:136W 开关能量:90μJ（开），450μJ（关）输入类型:标准栅极电荷:45nC 25°C 时 Td（开/关）值:24ns/93ns 测试条件:400V，15A，12 欧姆，15V 反向恢复时间（trr）:142ns 封装/外壳:TO-263-3，D2Pak（2 引线+接片），TO-263AB 安装类型:表面贴装供应商器件封装:D2PAK 标准包装:1 STGB20NC60V STGB20NC60VT4 STGB20V60DF STGB20V60F STGB25N40LZAG STGB30H60DF STGB30H60DFB STGB30H60DLFB STGB30M65DF2 STGB30NC60KT4 STGB30NC60WT4 STGB30V60DF STGB30V60F STGB35N35LZ-1 STGB35N35LZT4 STGB3HF60HD STGB3NB60FDT4 STGB3NB60KDT4