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STGD7NB60SD

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  • 深圳市琦凌凯科技有限公司
    深圳市琦凌凯科技有限公司

    联系人:彭先生

    电话:1331648214918276240346

    地址:深圳市福田区华强北街道荔村社区振兴路120号赛格科技园4栋中10层10A19

    资质:营业执照

  • 6000

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  • TO-252

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  • 十年配单,只做原装

  • STGD7NB60SD
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  • 深圳市华芯盛世科技有限公司
    深圳市华芯盛世科技有限公司

    联系人:朱先生/李小姐

    电话:0755-2394163213723794312(微信同号)

    地址:广东省深圳市福田区上步工业区201栋530室。

  • 8650000

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  • 北京元坤伟业科技有限公司
    北京元坤伟业科技有限公司

    联系人:刘先生

    电话:010-6210493162106431621048916210479162104578

    地址:北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室

    资质:营业执照

  • 638850

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  • TO-252

  • 最新批次

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  • OEM渠道,价格超越代理!

  • STGD7NB60SD
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  • 深圳市毅创辉电子科技有限公司
    深圳市毅创辉电子科技有限公司

    联系人:雷春艳

    电话:19129493934(手机优先微信同号)0755-83266697

    地址:深圳市福田区华强北街道华强北路1016号宝华大厦A座2028室

    资质:营业执照

  • 12500

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  • TO-252

  • 06+

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  • 全新原装现货

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STGD7NB60SD 技术参数
  • STGD7NB60KT4 功能描述:IGBT 600V 14A 70W DPAK 制造商:stmicroelectronics 系列:PowerMESH?? 包装:剪切带(CT) 零件状态:过期 IGBT 类型:- 电压 - 集射极击穿(最大值):600V 电流 - 集电极(Ic)(最大值):14A 脉冲电流 - 集电极 (Icm):56A 不同?Vge,Ic 时的?Vce(on):2.8V @ 15V,7A 功率 - 最大值:70W 开关能量:95μJ(开),140μJ(关) 输入类型:标准 栅极电荷:32.7nC 25°C 时 Td(开/关)值:15ns/50ns 测试条件:480V,7A,10 欧姆,15V 反向恢复时间(trr):- 封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 安装类型:表面贴装 供应商器件封装:D-Pak 标准包装:1 STGD6NC60HT4 功能描述:IGBT 600V 15A 56W DPAK 制造商:stmicroelectronics 系列:PowerMESH?? 包装:剪切带(CT) 零件状态:过期 IGBT 类型:- 电压 - 集射极击穿(最大值):600V 电流 - 集电极(Ic)(最大值):15A 脉冲电流 - 集电极 (Icm):21A 不同?Vge,Ic 时的?Vce(on):2.5V @ 15V,3A 功率 - 最大值:56W 开关能量:20μJ(开),68μJ(关) 输入类型:标准 栅极电荷:13.6nC 25°C 时 Td(开/关)值:12ns/76ns 测试条件:390V,3A,10 欧姆,15V 反向恢复时间(trr):- 封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 安装类型:表面贴装 供应商器件封装:D-Pak 标准包装:1 STGD6NC60HDT4 功能描述:IGBT 600V 15A 56W DPAK 制造商:stmicroelectronics 系列:PowerMESH?? 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 IGBT 类型:- 电压 - 集射极击穿(最大值):600V 电流 - 集电极(Ic)(最大值):15A 脉冲电流 - 集电极 (Icm):21A 不同?Vge,Ic 时的?Vce(on):2.5V @ 15V,3A 功率 - 最大值:56W 开关能量:20μJ(开),68μJ(关) 输入类型:标准 栅极电荷:13.6nC 25°C 时 Td(开/关)值:12ns/76ns 测试条件:390V,3A,10 欧姆,15V 反向恢复时间(trr):21ns 封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 安装类型:表面贴装 供应商器件封装:D-Pak 标准包装:1 STGD6NC60H-1 功能描述:IGBT N-CH 600V 7A IPAK 制造商:stmicroelectronics 系列:PowerMESH?? 包装:管件 零件状态:有效 IGBT 类型:- 电压 - 集射极击穿(最大值):600V 电流 - 集电极(Ic)(最大值):15A 脉冲电流 - 集电极 (Icm):21A 不同?Vge,Ic 时的?Vce(on):2.5V @ 15V,3A 功率 - 最大值:62.5W 开关能量:20μJ(开),68μJ(关) 输入类型:标准 栅极电荷:13.6nC 25°C 时 Td(开/关)值:12ns/76ns 测试条件:390V,3A,10 欧姆,15V 反向恢复时间(trr):- 封装/外壳:TO-251-3 短引线,IPak,TO-251AA 安装类型:通孔 供应商器件封装:IPAK(TO-251) 标准包装:75 STGD6M65DF2 功能描述:IGBT Trench Field Stop 650V 12A 88W Surface Mount DPAK 制造商:stmicroelectronics 系列:M 包装:剪切带(CT) 零件状态:在售 IGBT 类型:沟槽型场截止 电压 - 集射极击穿(最大值):650V 电流 - 集电极(Ic)(最大值):12A 脉冲电流 - 集电极 (Icm):24A 不同?Vge,Ic 时的?Vce(on):2V @ 15V,6A 功率 - 最大值:88W 开关能量:36μJ(开),200μJ(关) 输入类型:标准 栅极电荷:21.2nC 25°C 时 Td(开/关)值:15ns/90ns 测试条件:400V,6A,22 欧姆,15V 反向恢复时间(trr):140ns 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 供应商器件封装:DPAK 标准包装:1 STGE50NC60VD STGE50NC60WD STGF10H60DF STGF10M65DF2 STGF10NB60SD STGF10NC60HD STGF10NC60KD STGF10NC60SD STGF12NB60KD STGF14N60D STGF14NC60KD STGF15H60DF STGF15M65DF2 STGF17NC60SD STGF19NC60HD STGF19NC60KD STGF19NC60WD STGF20H60DF
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