配单专家企业名单

型号
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数量
厂商
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批号
价格
说明
操作

STP190NF04
北京元坤伟业科技有限公司
北京元坤伟业科技有限公司
联系人：刘先生
电话：010-6210493162106431621048916210479162104578
地址：北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室
资质：营业执照
5000
ST
TO-220
15+
-
原装正品，假一罚十

STP190NF04
北京元坤伟业科技有限公司
北京元坤伟业科技有限公司
联系人：刘先生
电话：010-6210493162106431621048916210479162104578
地址：北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室
资质：营业执照
5000
ST
原装正品
9000
-
假一罚十，百分百原装正品

STP190NF04
深圳市英科美电子有限公司
深圳市英科美电子有限公司
联系人：张先生
电话：0755-23903058
地址：深圳市福田区振兴路西101号华匀大厦1栋7F
16800
ST/意法
TO-220
22+
-
每一片都来自原厂，正品保证

STP190NF04
深圳市毅创辉电子科技有限公司
深圳市毅创辉电子科技有限公司
联系人：雷春艳
电话：19129493934（手机优先微信同号）0755-83266697
地址：深圳市福田区华强北街道华强北路1016号宝华大厦A座2028室
资质：营业执照
4745
ST
TO-220
10+
-
全新原装现货

STP190NF04
深圳市科翼源电子有限公司
深圳市科翼源电子有限公司
联系人：朱小姐
电话：13510998172
地址：振华路100号深纺大厦C座2楼E16
资质：营业执照
2949
ST
TO-220
23+
-
原厂原装正品现货

STP190NF04
无锡固电半导体股份有限公司
无锡固电半导体股份有限公司
联系人：张小姐
电话：15961889159
地址：江苏省无锡市新区新梅路68号
资质：营业执照
5000
isc,iscsemi
TO-220
2024+
-
国产品牌，可替代原装

STP190NF04
深圳市佳斯泰科技有限公司
深圳市佳斯泰科技有限公司
联系人：廖女士
电话：13410012158
地址：广东省深圳市福田区华强北上航大厦西座四层
5000
ST
TO-220
10+
-
原装现货优势库存

STP190NF04
深圳市华雄半导体（集团）有限公司
深圳市华雄半导体（集团）有限公司
联系人：雷精云
电话：18988598856
地址：深圳龙岗区棕科云端大厦1栋B座15层
资质：营业执照
4315
ST
TO-220
2216+
-
十年专营，供应原装正品！热卖现货！

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您是不是要找： STP19NB20 STP19NF20 STP19NM50N STP19NM65N STP1N105K3 STP200N3LL STP200N4F3 STP200N6F3 STP200NF03

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制造商
STMICROELECTRONICS
制造商全称
STMicroelectronics
功能描述
N-CHANNEL 40V - 3.9 mW - 120A D2PAK/I2PAK/TO-220 STripFET II POWER MOSFET

STP190NF04 技术参数

STP190N55LF3 功能描述:MOSFET N-CH 55V 120A TO-220 制造商:stmicroelectronics 系列:STripFET?? 包装:管件零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门漏源极电压（Vdss）:55V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:120A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:3.7 毫欧 @ 30A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:80nC @ 5V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:6200pF @ 25V 功率 - 最大值:312W 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:TO-220-3 供应商器件封装:TO-220-3 标准包装:50 STP18NM80 功能描述:MOSFET N-CH 800V 17A TO-220 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh?? 包装:管件零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:800V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:17A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:295 毫欧 @ 8.5A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:70nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:2070pF @ 50V 功率 - 最大值:190W 工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:TO-220-3 供应商器件封装:TO-220AB 标准包装:50 STP18NM60ND 功能描述:MOSFET N-CH 600V 13A TO-220 制造商:stmicroelectronics 系列:FDmesh?? II 包装:管件零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:600V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:13A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:290 毫欧 @ 6.5A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:34nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:1030pF @ 50V 功率 - 最大值:130W 工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:TO-220-3 供应商器件封装:TO-220 标准包装:50 STP18NM60N 功能描述:MOSFET N-CH 600V 13A TO-220 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh? II 包装:管件零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:600V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:13A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:285 毫欧 @ 6.5A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:35nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:1000pF @ 50V 功率 - 最大值:110W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:TO-220-3 供应商器件封装:TO-220AB 标准包装:50 STP18N65M5 功能描述:MOSFET N-CH 650V 15A TO-220 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh? V 包装:管件零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:650V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:15A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:220 毫欧 @ 7.5A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:31nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:1240pF @ 100V 功率 - 最大值:110W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:TO-220-3 供应商器件封装:TO-220 标准包装:50 STP200NF04 STP200NF04L STP20N20 STP20N60M2-EP STP20N65M5 STP20N90K5 STP20N95K5 STP20NE06L STP20NF06 STP20NF06L STP20NF20 STP20NK50Z STP20NM50 STP20NM50FD STP20NM50FP STP20NM60 STP20NM60A STP20NM60FD