STS25NH3LL 其他被动元件

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STS25NH3LL 其他被动元件
深圳庞田科技有限公司
深圳庞田科技有限公司
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STS25NH3LL 其他被动元件技术参数

STS25NH3LL 功能描述:MOSFET N-CH 30V 25A 8-SOIC 制造商:stmicroelectronics 系列:STripFET?? III 包装:剪切带（CT）零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:30V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:25A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:3.5 毫欧 @ 12.5A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:1V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:40nC @ 4.5V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:4450pF @ 25V 功率 - 最大值:3.2W 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）供应商器件封装:8-SO 标准包装:1 STS21 功能描述:HIGH ACCURACY DIGITAL TEMP SENSO 制造商:sensirion ag 系列:汽车级，AEC-Q100 包装:剪切带（CT）零件状态:有效传感器类型:数字，本地检测温度 - 本地:-40°C ~ 125°C 检测温度 - 远程:- 输出类型:I2C 电压 - 电源:2.1 V ~ 3.6 V 分辨率:14 b 特性:睡眠模式精度 - 最高（最低）:±0.2°C 测试条件:25°C 工作温度:-40°C ~ 125°C 封装/外壳:6-TDFN 裸露焊盘供应商器件封装:6-DFN（3x3）标准包装:1 STS20N3LLH6 功能描述:MOSFET N-CH 30V 20A 8SOIC 制造商:stmicroelectronics 系列:DeepGATE?，STripFET? VI 包装:剪切带（CT）零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:30V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:20A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:4.7 毫欧 @ 10A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:1V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:17nC @ 4.5V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:1690pF @ 25V 功率 - 最大值:2.7W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）供应商器件封装:8-SO 标准包装:1 STS2 功能描述:TOOL CABLE TIE 制造商:panduit corp 系列:- 零件状态:有效类型:焊枪特性:人体工学扭断配套使用产品/相关产品:小型，中型和标准扎带；0.100" ~ 0.190" （2.54mm ~ 4.83mm）宽标准包装:1 STS1TXQTR 功能描述:RF Transmitter ASK, FSK, GFSK, MSK, OOK 169MHz, 315MHz, 433MHz, 868MHz, 915MHz 16dBm 500kbps PCB, Surface Mount Antenna 20-VQFN Exposed Pad 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:有效频率:169MHz，315MHz，433MHz，868MHz，915MHz 应用:住宅/楼宇自动化，工业控制和监控调制或协议:ASK，FSK，GFSK，MSK，OOK 数据速率（最大值）:500kbps 功率 - 输出:16dBm 电流 - 传输:21mA 数据接口:PCB，表面贴装天线连接器:PCB，表面贴装存储容量:- 特性:- 电压 - 电源:1.8 V ~ 3.6 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:20-VQFN 裸露焊盘标准包装:1 STS3C2F100 STS3DNE60L STS3DPF60L STS3P6F6 STS4C3F60L STS4DNF30L STS4DNF60 STS4DNF60L STS4DNFS30 STS4DNFS30L STS4DPF20L STS4DPF30L STS4DPFS30L STS4NF100 STS5DNF20V STS5DNF60L STS5DP3LLH6 STS5DPF20L