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参数资料
| 型号： | S10SC4M |
| 元件分类： | 整流器 |
| 英文描述： | 10 A, 40 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220AB |
| 封装： | TO-220, 3 PIN |
| 文件页数： | 5/10页 |
| 文件大小： | 0K |
| 代理商： | S10SC4M |
Reverse Current
0.01
0.1
1
10
100
1000
0
5
10
15
20
25
30
35
40
S10SC4M
Tc=150
°C [MAX]
Tc=150
°C [TYP]
Pulse measurement per diode
Tc=125
°C [TYP]
Tc=100
°C [TYP]
Tc=75
°C [TYP]
Reverse Voltage VR [V]
Reverse
Current
I
R
[mA]
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
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| S10VTA80 | 3 PHASE, 10 A, 800 V, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE |
| S10WB60 | 3.2 A, 600 V, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
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| S10T5H1-A | 制造商:TE Connectivity 功能描述: |
| S10V42AUTOS5D1 | 制造商:EPCOS 制造商全称:EPCOS 功能描述:Automotive Series for 42-V Supply Systems Leaded Varistors |
| S10VB10 | 制造商:SHINDENGEN 制造商全称:Shindengen Electric Mfg.Co.Ltd 功能描述:SEMICONDUCTOR |
| S10VB20 | 功能描述:桥式整流器 Bridge RoHS:否 制造商:Vishay 产品:Single Phase Bridge 峰值反向电压:1000 V 最大 RMS 反向电压: 正向连续电流:4.5 A 最大浪涌电流:450 A 正向电压下降:1 V 最大反向漏泄电流:10 uA 功率耗散: 最大工作温度:+ 150 C 长度:30.3 mm 宽度:4.1 mm 高度:20.3 mm 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:SIP-4 封装:Tube |
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