型号: | S10WB20 |
元件分类: | 桥式整流 |
英文描述: | 3.2 A, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE |
封装: | S10WB, SQIP-4 |
文件页数: | 1/2页 |
文件大小: | 328K |
代理商: | S10WB20 |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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S11049-02SB | LINEAR OUTPUT PHOTO DETECTOR |
S15WB604003L15 | 4 A, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE |
S1722-02 | PIN PHOTO DIODE |
S186P | PIN PHOTO DIODE |
S1N944B | 11.7 V, SILICON, VOLTAGE REFERENCE DIODE |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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S10WB20-4000 | 功能描述:桥式整流器 VRM=200 IFSM=170 RoHS:否 制造商:Vishay 产品:Single Phase Bridge 峰值反向电压:1000 V 最大 RMS 反向电压: 正向连续电流:4.5 A 最大浪涌电流:450 A 正向电压下降:1 V 最大反向漏泄电流:10 uA 功率耗散: 最大工作温度:+ 150 C 长度:30.3 mm 宽度:4.1 mm 高度:20.3 mm 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:SIP-4 封装:Tube |
S10WB20-5000 | 功能描述:桥式整流器 VRM=200 IFSM=170 RoHS:否 制造商:Vishay 产品:Single Phase Bridge 峰值反向电压:1000 V 最大 RMS 反向电压: 正向连续电流:4.5 A 最大浪涌电流:450 A 正向电压下降:1 V 最大反向漏泄电流:10 uA 功率耗散: 最大工作温度:+ 150 C 长度:30.3 mm 宽度:4.1 mm 高度:20.3 mm 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:SIP-4 封装:Tube |
S10WB20-7000 | 功能描述:桥式整流器 VRM=200 IFSM=170 RoHS:否 制造商:Vishay 产品:Single Phase Bridge 峰值反向电压:1000 V 最大 RMS 反向电压: 正向连续电流:4.5 A 最大浪涌电流:450 A 正向电压下降:1 V 最大反向漏泄电流:10 uA 功率耗散: 最大工作温度:+ 150 C 长度:30.3 mm 宽度:4.1 mm 高度:20.3 mm 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:SIP-4 封装:Tube |
S10WB60 | 功能描述:桥式整流器 Bridge RoHS:否 制造商:Vishay 产品:Single Phase Bridge 峰值反向电压:1000 V 最大 RMS 反向电压: 正向连续电流:4.5 A 最大浪涌电流:450 A 正向电压下降:1 V 最大反向漏泄电流:10 uA 功率耗散: 最大工作温度:+ 150 C 长度:30.3 mm 宽度:4.1 mm 高度:20.3 mm 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:SIP-4 封装:Tube |
S10WB60-4000 | 功能描述:桥式整流器 VRM=600 IFSM=170 RoHS:否 制造商:Vishay 产品:Single Phase Bridge 峰值反向电压:1000 V 最大 RMS 反向电压: 正向连续电流:4.5 A 最大浪涌电流:450 A 正向电压下降:1 V 最大反向漏泄电流:10 uA 功率耗散: 最大工作温度:+ 150 C 长度:30.3 mm 宽度:4.1 mm 高度:20.3 mm 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:SIP-4 封装:Tube |