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参数资料
| 型号： | S10WB20 |
| 元件分类： | 桥式整流 |
| 英文描述： | 3.2 A, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE |
| 封装： | S10WB, SQIP-4 |
| 文件页数： | 2/2页 |
| 文件大小： | 328K |
| 代理商： | S10WB20 |
103
J534
CHARACTERISTIC DIAGRAMS
SQ
IP Bridge
S10WB
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| S11049-02SB | LINEAR OUTPUT PHOTO DETECTOR |
| S15WB604003L15 | 4 A, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE |
| S1722-02 | PIN PHOTO DIODE |
| S186P | PIN PHOTO DIODE |
| S1N944B | 11.7 V, SILICON, VOLTAGE REFERENCE DIODE |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| S10WB20-4000 | 功能描述:桥式整流器 VRM=200 IFSM=170 RoHS:否 制造商:Vishay 产品:Single Phase Bridge 峰值反向电压:1000 V 最大 RMS 反向电压: 正向连续电流:4.5 A 最大浪涌电流:450 A 正向电压下降:1 V 最大反向漏泄电流:10 uA 功率耗散: 最大工作温度:+ 150 C 长度:30.3 mm 宽度:4.1 mm 高度:20.3 mm 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:SIP-4 封装:Tube |
| S10WB20-5000 | 功能描述:桥式整流器 VRM=200 IFSM=170 RoHS:否 制造商:Vishay 产品:Single Phase Bridge 峰值反向电压:1000 V 最大 RMS 反向电压: 正向连续电流:4.5 A 最大浪涌电流:450 A 正向电压下降:1 V 最大反向漏泄电流:10 uA 功率耗散: 最大工作温度:+ 150 C 长度:30.3 mm 宽度:4.1 mm 高度:20.3 mm 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:SIP-4 封装:Tube |
| S10WB20-7000 | 功能描述:桥式整流器 VRM=200 IFSM=170 RoHS:否 制造商:Vishay 产品:Single Phase Bridge 峰值反向电压:1000 V 最大 RMS 反向电压: 正向连续电流:4.5 A 最大浪涌电流:450 A 正向电压下降:1 V 最大反向漏泄电流:10 uA 功率耗散: 最大工作温度:+ 150 C 长度:30.3 mm 宽度:4.1 mm 高度:20.3 mm 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:SIP-4 封装:Tube |
| S10WB60 | 功能描述:桥式整流器 Bridge RoHS:否 制造商:Vishay 产品:Single Phase Bridge 峰值反向电压:1000 V 最大 RMS 反向电压: 正向连续电流:4.5 A 最大浪涌电流:450 A 正向电压下降:1 V 最大反向漏泄电流:10 uA 功率耗散: 最大工作温度:+ 150 C 长度:30.3 mm 宽度:4.1 mm 高度:20.3 mm 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:SIP-4 封装:Tube |
| S10WB60-4000 | 功能描述:桥式整流器 VRM=600 IFSM=170 RoHS:否 制造商:Vishay 产品:Single Phase Bridge 峰值反向电压:1000 V 最大 RMS 反向电压: 正向连续电流:4.5 A 最大浪涌电流:450 A 正向电压下降:1 V 最大反向漏泄电流:10 uA 功率耗散: 最大工作温度:+ 150 C 长度:30.3 mm 宽度:4.1 mm 高度:20.3 mm 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:SIP-4 封装:Tube |
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