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参数资料
| 型号： | S16LC03-8-G |
| 厂商： | SENSITRON SEMICONDUCTOR |
| 元件分类： | TVS二极管 - 瞬态电压抑制 |
| 英文描述： | 300 W, UNIDIRECTIONAL, 8 ELEMENT, SILICON, TVS DIODE |
| 封装： | LEAD FREE, SO-16 |
| 文件页数： | 2/3页 |
| 文件大小： | 113K |
| 代理商： | S16LC03-8-G |
SENSITRON
SEMICONDUCTOR
TECHNICAL DATA
DATA SHEET 4617, REV. -
221 West Industry Court Deer Park, NY 11729-4681 Phone (631) 586-7600 Fax (631) 242-9798
World Wide Web Site - http://www.sensitron.com E-Mail Address - sales@sensitron.com
Page 2
ELECTRICAL CHARACTERISTICS @ 25
°C
Part Number
Stand-off
Voltage
Vwm
(v)
Max
Breakdown
Voltage
VBR
@1mA
(V)
Min
Clamping
Voltage
Vc
@ 1 A
(V)
Max
Leakage
Current
IR
@ Vwm
(
A)
Max
Capacitance
(f = 1MHz)
C
@ 0V
(pF)
Max
Temperature
Coefficient
of VBR
a(VBR)
mv/
°C
Max
S16LC03-8-G
3.3
4
7
200
25
-5
S16LC05-8-G
5.0
6
9.8
20
25
1
S16LC12-8-G
12.0
13.3
19
1
25
8
S16LC15-8-G
15.0
16.7
24
1
25
11
S16LC24-8-G
24.0
26.7
43
1
25
28
PACKAGE OUTLINES & DEMENSIONS
INCHES
MILLIMETERS
DIM
MIN.
MAX
MIN.
MAX.
A
0.358
0.398
9.09
10.10
B
0.150
0.157
3.8
4.0
C
0.053
0.069
1.35
1.75
D
0.011
0.021
0.28
0.53
F
0.016
0.050
0.41
1.27
G
0.050 BSC
1.27 BSC
J
0.006
0.010
0.15
0.25
K
0.004
0.008
0.10
0.20
L
0.189
0.206
4.80
5.23
P
0.228
0.244
5.79
6.19
TYPICAL CHARACTERISTICS
0
10
20
30
40
50
60
70
80
90
100
110
0
5
10
15
20
25
30
Time (
s)
Percent
of
I
PP
e
-t
td = IPP/2
Waveform
Parameters:
tr = 8
s
td = 20
s
Figure 1. Peak Pulse Power Vs Pulse Time (
s)
Figure 2. Pulse Wave Form
Time (
s)
10000
1000
100
10
.1
1
10
100
1000
10000
8/20s 300W Pulse
Green Products
S16LC03-8-G
thru
S16LC24-8-G
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| S1D | 1 A, 200 V, SILICON, SIGNAL DIODE |
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| S1A | 1 A, 50 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-214AC |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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