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参数资料
| 型号： | S1AGP-TP |
| 厂商： | MICRO COMMERCIAL COMPONENTS |
| 元件分类： | 二极管(射频、小信号、开关、功率) |
| 英文描述： | 1 A, 50 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-214AA |
| 封装： | PLASTIC, SMBJ, 2 PIN |
| 文件页数： | 1/3页 |
| 文件大小： | 73K |
| 代理商： | S1AGP-TP |
Glass Passivated
Silicon Rectifier
50 to 1000 Volts
Features
Maximum Ratings
Electrical Characteristics @ 25
°C Unless Otherwise Specified
Average Forward
current
IF(AV)
1.0A
TJ = 100
°C
Peak Forward Surge
Current
IFSM
30A
8.3ms, half sine,
Maximum
Instantaneous
Forward Voltage
VF
1.1V
IFM = 1.0A;
TJ = 25
°C*
Maximum DC
Reverse Current At
Rated DC Blocking
Voltage
IR
5
A
100
A
TJ = 25
°C
TJ = 125
°C
Typical Junction
Capacitance
CJ
10pF
Measured at
1.0MHz, VR=4.0V
*Pulse test: Pulse width 300
sec, Duty cycle 2%
S1AGP
THRU
S1MGP
Operating Temperature: -65
°C to +150°C
Storage Temperature: -65
°C to +150°C
MCC
Catalog
Number
Device
Marking
Maximum
Recurrent
Peak Reverse
Voltage
Maximum
RMS
Voltage
Maximum
DC
Blocking
Voltage
S1AGP
50V
35V
50V
S1BGP
100V
70V
100V
S1DGP
200V
140V
200V
S1GGP
400V
280V
400V
S1JGP
600V
420V
600V
S1KGP
800V
560V
800V
S1MGP
1000V
700V
1000V
omponents
20736 Marilla Street Chatsworth
!"#
$% !"#
MCC
Revision: 5
2008/01/01
1 Amp
0.050”
0.106
0.083”
SUGGESTED SOLDER
PAD LAYOUT
DO-214AA
(SMBJ) (LEAD FRAME)
A
B
D
C
E
F
G
H
DIMENSIONS
INCHES
MM
DIM
MIN
MAX
MIN
MAX
NOTE
A
.160
.185
4.06
4.70
B
.130
.155
3.30
3.94
C
.006
.012
0.15
0.31
D..030
.060
0.76
1..52
E
.200
.220
5.08
5.59
F
.079
.103
2.01
2.62
G
.075
.087
1.91
2.21
H
.002
.008
0.05
0.203
Typical Thermal Resistance: 30
°C/W Junction to Terminal
TM
Micro Commercial Components
For Surface Mount Applications
Extremely Low Thermal Resistance
Easy Pick And Place
High Temp Soldering: 250
°C for 10 Seconds At Terminals
Case Material: Molded Plastic.
UL Flammability
Classification Rating 94V-0
www.mccsemi.com
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相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| S1G | 1 A, 400 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-214AC |
| S1D | 1 A, 200 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-214AC |
| S1K-LTP | 1 A, 800 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-214AA |
| S1J-LTP | 1 A, 600 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-214AA |
| S1A-LTP | 1 A, 50 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-214AA |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| S1AHE3/2GT | 功能描述:整流器 1.0 Amp 50 Volt 40A IFSM @ 8.3ms RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 产品:Standard Recovery Rectifiers 配置: 反向电压:100 V 正向电压下降: 恢复时间:1.2 us 正向连续电流:2 A 最大浪涌电流:35 A 反向电流 IR:5 uA 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-221AC 封装:Reel |
| S1AHE3/5AT | 功能描述:整流器 1.0 Amp 50 Volt 40A IFSM @ 8.3ms RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 产品:Standard Recovery Rectifiers 配置: 反向电压:100 V 正向电压下降: 恢复时间:1.2 us 正向连续电流:2 A 最大浪涌电流:35 A 反向电流 IR:5 uA 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-221AC 封装:Reel |
| S1AHE3/61T | 功能描述:整流器 1.0 Amp 50 Volt 40A IFSM @ 8.3ms RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 产品:Standard Recovery Rectifiers 配置: 反向电压:100 V 正向电压下降: 恢复时间:1.2 us 正向连续电流:2 A 最大浪涌电流:35 A 反向电流 IR:5 uA 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-221AC 封装:Reel |
| S1AHE3/63T | 功能描述:整流器 1.0 Amp 50 Volt 40A IFSM @ 8.3ms RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 产品:Standard Recovery Rectifiers 配置: 反向电压:100 V 正向电压下降: 恢复时间:1.2 us 正向连续电流:2 A 最大浪涌电流:35 A 反向电流 IR:5 uA 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-221AC 封装:Reel |
| S1AJ | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:smaj REVERSE VOLTAGE: 50 - 1000 VCURRENT: 1.0 A |
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