型号: | S1DB-13 |
厂商: | DIODES INC |
元件分类: | 二极管(射频、小信号、开关、功率) |
英文描述: | 1 A, 200 V, SILICON, SIGNAL DIODE |
封装: | PLASTIC, SMB, 2 PIN |
文件页数: | 1/2页 |
文件大小: | 82K |
代理商: | S1DB-13 |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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S1KB-13 | 1 A, 800 V, SILICON, SIGNAL DIODE |
S1BB-7 | 1 A, 100 V, SILICON, SIGNAL DIODE |
S1GB-7 | 1 A, 400 V, SILICON, SIGNAL DIODE |
S1MB-7 | 1 A, 1000 V, SILICON, SIGNAL DIODE |
S1J-7 | 1 A, 600 V, SILICON, SIGNAL DIODE |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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S1DB-13-F | 功能描述:整流器 200V 1A RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 产品:Standard Recovery Rectifiers 配置: 反向电压:100 V 正向电压下降: 恢复时间:1.2 us 正向连续电流:2 A 最大浪涌电流:35 A 反向电流 IR:5 uA 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-221AC 封装:Reel |
S1D-E3/2GT | 功能描述:整流器 1.0 Amp 200 Volt 40A IFSM @ 8.3ms RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 产品:Standard Recovery Rectifiers 配置: 反向电压:100 V 正向电压下降: 恢复时间:1.2 us 正向连续电流:2 A 最大浪涌电流:35 A 反向电流 IR:5 uA 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-221AC 封装:Reel |
S1D-E3/51T | 功能描述:整流器 1.0 Amp 200 Volt 40A IFSM @ 8.3ms RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 产品:Standard Recovery Rectifiers 配置: 反向电压:100 V 正向电压下降: 恢复时间:1.2 us 正向连续电流:2 A 最大浪涌电流:35 A 反向电流 IR:5 uA 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-221AC 封装:Reel |
S1D-E3/5AT | 功能描述:整流器 1.0 Amp 200 Volt 40A IFSM @ 8.3ms RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 产品:Standard Recovery Rectifiers 配置: 反向电压:100 V 正向电压下降: 恢复时间:1.2 us 正向连续电流:2 A 最大浪涌电流:35 A 反向电流 IR:5 uA 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-221AC 封装:Reel |
S1D-E3/61T | 功能描述:整流器 1.0 Amp 200 Volt RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 产品:Standard Recovery Rectifiers 配置: 反向电压:100 V 正向电压下降: 恢复时间:1.2 us 正向连续电流:2 A 最大浪涌电流:35 A 反向电流 IR:5 uA 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-221AC 封装:Reel |