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参数资料
| 型号： | S1G-E3 |
| 厂商： | VISHAY SEMICONDUCTORS |
| 元件分类： | 二极管(射频、小信号、开关、功率) |
| 英文描述： | 1 A, 400 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-214AC |
| 封装： | LEAD FREE, PLASTIC, SMA, 2 PIN |
| 文件页数： | 3/4页 |
| 文件大小： | 344K |
| 代理商： | S1G-E3 |
S1A thru S1M
Document Number 88711
06-Sep-05
Vishay General Semiconductor
www.vishay.com
3
Package outline dimensions in inches (millimeters)
Figure 3. Typical Instantaneous Forward Characteristics
Figure 4. Typical Reverse Leakage Characteristics
0.4
0.8
1.2
1.6
2.0
0.01
0.1
10
1
80
Instantaneo
u
sF
o
rw
ard
C
u
rrent
(A)
InstantaneousForward Voltage (V)
TJ = 25 °C
Pulse Width = 300 s
1% Duty Cycle
020
60
40
100
80
0.01
0.001
0.1
10
1
TJ = 125 °C
TJ = 25 °C
TJ = 75 °C
Percent of Rated Peak Reverse Voltage (%)
Instantaneo
u
s
Re
v
erse
Leakage
C
u
rrent
(
A)
Figure 5. Typical Junction Capacitance
Figure 6. Typical Transient Thermal Impedance
Reverse Voltage (V)
J
u
nction
Capacitance
(pF)
0.1
0.01
1
10
100
10
1
TJ = 25 °C
f = 1.0 MHz
Vsig = 50mVp-p
t, Pulse Duration (sec.)
T
ransient
T
her
mal
Impedance
(
°C
/W
)
0.1
0.01
1
10
100
1000
10
1
Units Mounted on
0.20 x 0.20" (5.0 x 5.0mm)
x 0.5 mil. Inches (0.013mm)
Thick Copper Land Areas
S1(K,M)
S1(A-J)
0.157 (3.99)
0.177 (4.50)
0.006 (0.152)
0.012 (0.305)
0.030 (0.76)
0.060 (1.52)
0.008 (0.203)
0.194 (4.93)
0.208 (5.28)
0.100 (2.54)
0.110 (2.79)
0.078 (1.98)
0.090 (2.29)
0.049 (1.25)
0.065 (1.65)
Cathode Band
0 (0)
DO-214AC (SMA)
0.074 MAX.
(1.88 MAX.)
0.208
(5.28) REF
0.066 MIN.
(1.68 MIN.)
0.060 MIN.
(1.52 MIN.)
Mounting Pad Layout
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PDF描述 |
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参数描述 |
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