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参数资料
| 型号： | S1NB80 |
| 元件分类： | 桥式整流 |
| 英文描述： | 1 A, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE |
| 封装： | 1N, SMD, 4 PIN |
| 文件页数： | 1/2页 |
| 文件大小： | 296K |
| 代理商： | S1NB80 |
Bridge Diode
20
J534
Dual In-Line Package
S1NB
800V 1A
I
RATINGS
S1NB80
S1NB60
S1NB20
Unit
Absolute Maximum Ratings
l
Item
Symbol Conditions
Type No.
Storage Temperature
Operation Junction Temperature
Maximum Reverse Voltage
Average Rectified Forward Current
Peak Surge Forward Current
Forward Voltage
Reverse Current
Thermal Resistance
l
50Hz sine wave, Non-repetitive 1cycle peak value, Tj = 25
50Hz sine wave, Resistance load, On glass-epoxy substrate,
Ta=25
Pulse measurement, per diode
Junction to Lead
Junction to Ambient
Electrical Characteristics
l
Current Squared Time
per diode
Package
1N
SMD
Package
1N THD
OUTLINE
S1NB
6094
S1NB
6099
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
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| S25A100FRA | 15 A, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
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| S1NB80-4101 | 功能描述:桥式整流器 VRM=800 IFSM=30 RoHS:否 制造商:Vishay 产品:Single Phase Bridge 峰值反向电压:1000 V 最大 RMS 反向电压: 正向连续电流:4.5 A 最大浪涌电流:450 A 正向电压下降:1 V 最大反向漏泄电流:10 uA 功率耗散: 最大工作温度:+ 150 C 长度:30.3 mm 宽度:4.1 mm 高度:20.3 mm 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:SIP-4 封装:Tube |
| S1NB80-4102 | 功能描述:桥式整流器 VRM=800 IFSM=30 RoHS:否 制造商:Vishay 产品:Single Phase Bridge 峰值反向电压:1000 V 最大 RMS 反向电压: 正向连续电流:4.5 A 最大浪涌电流:450 A 正向电压下降:1 V 最大反向漏泄电流:10 uA 功率耗散: 最大工作温度:+ 150 C 长度:30.3 mm 宽度:4.1 mm 高度:20.3 mm 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:SIP-4 封装:Tube |
| S1NB80-7062 | 功能描述:桥式整流器 VRM=800 IFSM=30 RoHS:否 制造商:Vishay 产品:Single Phase Bridge 峰值反向电压:1000 V 最大 RMS 反向电压: 正向连续电流:4.5 A 最大浪涌电流:450 A 正向电压下降:1 V 最大反向漏泄电流:10 uA 功率耗散: 最大工作温度:+ 150 C 长度:30.3 mm 宽度:4.1 mm 高度:20.3 mm 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:SIP-4 封装:Tube |
| S1NB80-7101 | 功能描述:桥式整流器 VRM=800 IFSM=30 RoHS:否 制造商:Vishay 产品:Single Phase Bridge 峰值反向电压:1000 V 最大 RMS 反向电压: 正向连续电流:4.5 A 最大浪涌电流:450 A 正向电压下降:1 V 最大反向漏泄电流:10 uA 功率耗散: 最大工作温度:+ 150 C 长度:30.3 mm 宽度:4.1 mm 高度:20.3 mm 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:SIP-4 封装:Tube |
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