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参数资料
| 型号： | S1NB80 |
| 元件分类： | 桥式整流 |
| 英文描述： | 1 A, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE |
| 封装： | 1N, SMD, 4 PIN |
| 文件页数： | 2/2页 |
| 文件大小： | 296K |
| 代理商： | S1NB80 |
21
J534
S1NB
CHARACTERISTIC DIAGRAMS
Small D
IP Bridge
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| S1ZAS6-4102 | 0.72 A, 65 V, 2 ELEMENT, SILICON, SIGNAL DIODE |
| S20WB204003L15 | 4.5 A, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE |
| S20WB604003L7.5 | 4.5 A, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE |
| S20WB60 | 4.5 A, 600 V, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE |
| S25A100FRA | 15 A, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| S1NB80-4062 | 功能描述:桥式整流器 VRM=800 IFSM=30 RoHS:否 制造商:Vishay 产品:Single Phase Bridge 峰值反向电压:1000 V 最大 RMS 反向电压: 正向连续电流:4.5 A 最大浪涌电流:450 A 正向电压下降:1 V 最大反向漏泄电流:10 uA 功率耗散: 最大工作温度:+ 150 C 长度:30.3 mm 宽度:4.1 mm 高度:20.3 mm 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:SIP-4 封装:Tube |
| S1NB80-4101 | 功能描述:桥式整流器 VRM=800 IFSM=30 RoHS:否 制造商:Vishay 产品:Single Phase Bridge 峰值反向电压:1000 V 最大 RMS 反向电压: 正向连续电流:4.5 A 最大浪涌电流:450 A 正向电压下降:1 V 最大反向漏泄电流:10 uA 功率耗散: 最大工作温度:+ 150 C 长度:30.3 mm 宽度:4.1 mm 高度:20.3 mm 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:SIP-4 封装:Tube |
| S1NB80-4102 | 功能描述:桥式整流器 VRM=800 IFSM=30 RoHS:否 制造商:Vishay 产品:Single Phase Bridge 峰值反向电压:1000 V 最大 RMS 反向电压: 正向连续电流:4.5 A 最大浪涌电流:450 A 正向电压下降:1 V 最大反向漏泄电流:10 uA 功率耗散: 最大工作温度:+ 150 C 长度:30.3 mm 宽度:4.1 mm 高度:20.3 mm 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:SIP-4 封装:Tube |
| S1NB80-7062 | 功能描述:桥式整流器 VRM=800 IFSM=30 RoHS:否 制造商:Vishay 产品:Single Phase Bridge 峰值反向电压:1000 V 最大 RMS 反向电压: 正向连续电流:4.5 A 最大浪涌电流:450 A 正向电压下降:1 V 最大反向漏泄电流:10 uA 功率耗散: 最大工作温度:+ 150 C 长度:30.3 mm 宽度:4.1 mm 高度:20.3 mm 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:SIP-4 封装:Tube |
| S1NB80-7101 | 功能描述:桥式整流器 VRM=800 IFSM=30 RoHS:否 制造商:Vishay 产品:Single Phase Bridge 峰值反向电压:1000 V 最大 RMS 反向电压: 正向连续电流:4.5 A 最大浪涌电流:450 A 正向电压下降:1 V 最大反向漏泄电流:10 uA 功率耗散: 最大工作温度:+ 150 C 长度:30.3 mm 宽度:4.1 mm 高度:20.3 mm 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:SIP-4 封装:Tube |
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