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参数资料
| 型号： | S1VB80 |
| 元件分类： | 参考电压二极管 |
| 英文描述： | 1 A, 800 V, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE |
| 封装： | 1V, SIP-4 |
| 文件页数： | 2/2页 |
| 文件大小： | 356K |
| 代理商： | S1VB80 |
■特性図 CHARACTERISTIC DIAGRAMS
＊ Sine wave は 50Hz で測定しています。
＊ 50Hz sine wave is used for measurements.
＊半導体製品の特性は一般的にバラツキを持っております。
Typical は統計的な実力を表しています。
＊ Semiconductor products generally have characterristic variation.
Typical is a statistical average of the device’s ability.
（J534-1）
53
S1VB
□
Small SIP Bridge
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| S1ZA40-4072 | 0.63 A, 2 ELEMENT, SILICON, SIGNAL DIODE |
| S20F | 0.23 A, 2000 V, SILICON, SIGNAL DIODE |
| S25F | 0.23 A, 2500 V, SILICON, SIGNAL DIODE |
| S20LC20U-4001 | 10 A, SILICON, RECTIFIER DIODE |
| S20LC40UT | 20 A, 400 V, SILICON, RECTIFIER DIODE |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| S1VB80-4000 | 功能描述:桥式整流器 RO 627-S1VB80-7000 RoHS:否 制造商:Vishay 产品:Single Phase Bridge 峰值反向电压:1000 V 最大 RMS 反向电压: 正向连续电流:4.5 A 最大浪涌电流:450 A 正向电压下降:1 V 最大反向漏泄电流:10 uA 功率耗散: 最大工作温度:+ 150 C 长度:30.3 mm 宽度:4.1 mm 高度:20.3 mm 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:SIP-4 封装:Tube |
| S1VB80-4101 | 功能描述:桥式整流器 VRM=800 IFSM=30 RoHS:否 制造商:Vishay 产品:Single Phase Bridge 峰值反向电压:1000 V 最大 RMS 反向电压: 正向连续电流:4.5 A 最大浪涌电流:450 A 正向电压下降:1 V 最大反向漏泄电流:10 uA 功率耗散: 最大工作温度:+ 150 C 长度:30.3 mm 宽度:4.1 mm 高度:20.3 mm 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:SIP-4 封装:Tube |
| S1VB80-7000 | 功能描述:桥式整流器 VRM=800 IFSM=30 RoHS:否 制造商:Vishay 产品:Single Phase Bridge 峰值反向电压:1000 V 最大 RMS 反向电压: 正向连续电流:4.5 A 最大浪涌电流:450 A 正向电压下降:1 V 最大反向漏泄电流:10 uA 功率耗散: 最大工作温度:+ 150 C 长度:30.3 mm 宽度:4.1 mm 高度:20.3 mm 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:SIP-4 封装:Tube |
| S1VB80-7004 | 制造商:Shindengen Electric Mfg 功能描述:Cut Tape |
| S1VB80-7101 | 功能描述:桥式整流器 VRM=800 IFSM=30 RoHS:否 制造商:Vishay 产品:Single Phase Bridge 峰值反向电压:1000 V 最大 RMS 反向电压: 正向连续电流:4.5 A 最大浪涌电流:450 A 正向电压下降:1 V 最大反向漏泄电流:10 uA 功率耗散: 最大工作温度:+ 150 C 长度:30.3 mm 宽度:4.1 mm 高度:20.3 mm 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:SIP-4 封装:Tube |
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