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参数资料
| 型号： | S1X |
| 厂商： | DIOTEC SEMICONDUCTOR AG |
| 元件分类： | 二极管(射频、小信号、开关、功率) |
| 英文描述： | 1 A, 1800 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-214AC |
| 封装： | ROHS COMPLIANT, PLASTIC, SMA, 2 PIN |
| 文件页数： | 2/2页 |
| 文件大小： | 107K |
| 代理商： | S1X |
S1A ... S1Y
2
http://www.diotec.com/
Diotec Semiconductor AG
10
1
10
2
-1
-2
[A]
I
F
Forward characteristics (typical values)
Durchlasskennlinien (typische Werte)
0.4
V
F
0.8
1.0
1.2
1.4
[V] 1.8
T = 25°C
j
T = 125°C
j
30a-(1a-1.1v)
Peak forward surge current versus number of cycles at 50 Hz
Durchla-Spitzenstrom in Abh. von der Zahl der Halbwellen bei 50 Hz
10
1
2
[A]
F
1
10
[n]
10
2
3
Relative transient thermal impedance vs. pulse duration (typical)
Relativer transienter Wrmewiderstand über Impulsdauer (typisch)
100
10
1 0.01
0.1
1
10
2
3
[s]
[t ]
p
[%]
Z
R
thA
25
20
15
10
5
0
[pF]
C
j
V
R
[V]
Junction capacitance vs. reverse voltage (typical)
Sperrschichtkapazitt in Abh. v.d. Sperrspg. (typ.)
Rated forward current vs. temp. of the terminals
in Abh. v. d. Temp. der Terminals
Zul. Richtstrom
120
100
80
60
40
20
0
I
FAV
[%]
[°C]
T
150
100
50
0
10
1
10
2
1
-2
10-1
[A]
I
R
0
V
RRM
40
60
80
100 [%]
Typ. instantaneous leakage current vs. rev. voltage
Typ. Sperrstrom (Augenblickswert) ü. Sperrspannung
T = 25°C
j
T = 100°C
j
T = 125°C
j
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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| S1Y | 1 A, 2000 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-214AC |
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| S277N | 1 A, 1000 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-41 |
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