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参数资料
| 型号： | S1Y |
| 厂商： | MICROSEMI CORP |
| 元件分类： | 二极管(射频、小信号、开关、功率) |
| 英文描述： | 1 A, 1600 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-215AA |
| 封装： | SMBG, 2 PIN |
| 文件页数： | 2/3页 |
| 文件大小： | 118K |
| 代理商： | S1Y |
Figure 2
Junction Capacitance
.1
.2
1
.4
2
10
20
40
4
100
200
1
2
6
10
20
100
pF
Volts
1
10
100
5
10
15
20
25
30
Figure 3
Maximum Overload Surge Current
-65
°C to +175°C
Peak Forward Current - Amperes versus
Number of Cycles at 60Hz
Amps
Cycles
Average Forward Rectified Current - Amperes versus
Ambient Temperature -
°C
Figure 4
Forward Derating Curve
020
40
60
80 100 120 140 160 180
0
.2
.4
.6
.8
1.0
1.2
1.4
Resistive or
Inductive Load
Amps
°C
200
60
40
4
400
1000
Typical
Distribution
Median
Instantaneous Forward Current - Amperes versus
Instantaneous Forward Voltage - Volts
Figure 1
Typical Forward Characteristics
4
6
20
10
Amps
.4
.6
.8
1.0
1.2
1.4
.01
.02
.04
.06
.1
.2
.4
.6
1
2
25
°C
Volts
S1Q thru S1ZZ
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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