参数资料
型号: S1Y
厂商: MICROSEMI CORP
元件分类: 二极管(射频、小信号、开关、功率)
英文描述: 1 A, 1600 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-215AA
封装: SMBG, 2 PIN
文件页数: 3/3页
文件大小: 118K
代理商: S1Y
.01
1
10
20
40
100
200
60
Figure 5
Peak Forward Surge Current
Peak Forward Surge Current - Amperes versus
Pulse Duration - Milliseconds (mS)
Amps
mS
.02
.06 .1
.2
.6
2
6
400
600
1000
Figure 6
New SMB Assembly
Round Lead
S1Q thru S1ZZ
相关PDF资料
PDF描述
S1ZB80-4062 0.8 A, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE
S1ZA60-4072 1.1 A, 600 V, SILICON, RECTIFIER DIODE
S1WB(A)60B-4062 1 A, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE
S1ZB20-4072 0.5 A, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE
S1ZB60-4072 0.5 A, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE
相关代理商/技术参数
参数描述
S1YB20 功能描述:桥式整流器 Bridge RoHS:否 制造商:Vishay 产品:Single Phase Bridge 峰值反向电压:1000 V 最大 RMS 反向电压: 正向连续电流:4.5 A 最大浪涌电流:450 A 正向电压下降:1 V 最大反向漏泄电流:10 uA 功率耗散: 最大工作温度:+ 150 C 长度:30.3 mm 宽度:4.1 mm 高度:20.3 mm 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:SIP-4 封装:Tube
S1YB20-4062 功能描述:桥式整流器 VRM=200 IFSM=30 RoHS:否 制造商:Vishay 产品:Single Phase Bridge 峰值反向电压:1000 V 最大 RMS 反向电压: 正向连续电流:4.5 A 最大浪涌电流:450 A 正向电压下降:1 V 最大反向漏泄电流:10 uA 功率耗散: 最大工作温度:+ 150 C 长度:30.3 mm 宽度:4.1 mm 高度:20.3 mm 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:SIP-4 封装:Tube
S1YB20-4072 功能描述:桥式整流器 VRM=200 IFSM=30 RoHS:否 制造商:Vishay 产品:Single Phase Bridge 峰值反向电压:1000 V 最大 RMS 反向电压: 正向连续电流:4.5 A 最大浪涌电流:450 A 正向电压下降:1 V 最大反向漏泄电流:10 uA 功率耗散: 最大工作温度:+ 150 C 长度:30.3 mm 宽度:4.1 mm 高度:20.3 mm 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:SIP-4 封装:Tube
S1YB20-4101 功能描述:桥式整流器 VRM=200 IFSM=30 RoHS:否 制造商:Vishay 产品:Single Phase Bridge 峰值反向电压:1000 V 最大 RMS 反向电压: 正向连续电流:4.5 A 最大浪涌电流:450 A 正向电压下降:1 V 最大反向漏泄电流:10 uA 功率耗散: 最大工作温度:+ 150 C 长度:30.3 mm 宽度:4.1 mm 高度:20.3 mm 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:SIP-4 封装:Tube
S1YB20-4102 功能描述:桥式整流器 VRM=200 IFSM=30 RoHS:否 制造商:Vishay 产品:Single Phase Bridge 峰值反向电压:1000 V 最大 RMS 反向电压: 正向连续电流:4.5 A 最大浪涌电流:450 A 正向电压下降:1 V 最大反向漏泄电流:10 uA 功率耗散: 最大工作温度:+ 150 C 长度:30.3 mm 宽度:4.1 mm 高度:20.3 mm 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:SIP-4 封装:Tube