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参数资料
| 型号： | S29GL032A11BFIR10 |
| 厂商： | Spansion Inc. |
| 英文描述： | 64 MEGABIT 32MEGABIT 3.0 BOLT ONLY PAGE MODE FLASH MEMORY |
| 中文描述： | 64兆位32MEGABIT 3.0螺栓只页面模式闪存 |
| 文件页数： | 73/88页 |
| 文件大小： | 1425K |
| 代理商： | S29GL032A11BFIR10 |
第1页第2页第3页第4页第5页第6页第7页第8页第9页第10页第11页第12页第13页第14页第15页第16页第17页第18页第19页第20页第21页第22页第23页第24页第25页第26页第27页第28页第29页第30页第31页第32页第33页第34页第35页第36页第37页第38页第39页第40页第41页第42页第43页第44页第45页第46页第47页第48页第49页第50页第51页第52页第53页第54页第55页第56页第57页第58页第59页第60页第61页第62页第63页第64页第65页第66页第67页第68页第69页第70页第71页第72页当前第73页第74页第75页第76页第77页第78页第79页第80页第81页第82页第83页第84页第85页第86页第87页第88页
January 28, 2005 S29GLxxxA_00_A2
S29GLxxxA MirrorBit Flash Family
73
Advance
Information
Notes:
1. SA = sector address (for Sector Erase), VA = Valid Address for reading status data (see “Write Operation Status”.)
2. Illustration shows device in word mode.
Figure 18. Chip/Sector Erase Operation Timings
Note: VA = Valid address. Illustration shows first status cycle after command sequence, last status read cycle, and array
data read cycle.
Figure 19. Data# Polling Timings (During Embedded Algorithms)
OE#
CE#
Addresses
VCC
WE#
Data
2AAh
SA
tAH
tWP
tWC
tAS
tWPH
555h for chip erase
10 for Chip Erase
30h
tDS
tVCS
tCS
tDH
55h
tCH
In
Progress
Complete
tWHWH2
VA
Erase Command Sequence (last two cycles)
Read Status Data
RY/BY#
tRB
tBUSY
WE#
CE#
OE#
High Z
tOE
High Z
DQ7
DQ0–DQ6
RY/BY#
tBUSY
Complement
True
Addresses
VA
tCH
VA
Status Data
Complement
Status Data
True
Valid Data
tPOLL
tACC
tCE
tOEH
tDF
tOH
tRC
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PDF描述 |
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