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参数资料
| 型号： | S29WS128N0LBFI111 |
| 厂商： | Spansion Inc. |
| 英文描述： | 256/128/64 MEGABIT CMOS 1.8 VOLT ONLY SIMULTANEOUS READ/WRITE BURST MODE FLASH MEMORY |
| 中文描述： | 256/128/64兆位的CMOS 1.8伏只有同时读/写突发模式闪存 |
| 文件页数： | 54/99页 |
| 文件大小： | 1091K |
| 代理商： | S29WS128N0LBFI111 |
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S29WS-N_00_G0 January 25, 2005
Adva nce
Information
Figure 8.3. Lock Register Program Algorithm
Write Unlock Cycles:
Address 555h, Data AAh
Address 2AAh, Data 55h
Write
Enter Lock Register Command:
Address 555h, Data 40h
Program Lock Register Data
Address XXXh, Data A0h
Address 77h*, Data PD
Unlock Cycle 1
Unlock Cycle 2
XXXh = Address don’t care
* Not on future devices
Program Data (PD): See text for Lock Register
definitions
Caution: Lock register can only be progammed
once.
Wait 4
s
PASS. Write Lock Register
Exit Command:
Address XXXh, Data 90h
Address XXXh, Data 00h
Device returns to reading array.
Perform Polling Algorithm
(see Write Operation Status
flowchart)
Yes
No
Done?
DQ5 = 1?
Error condition (Exceeded Timing Limits)
FAIL. Write rest command
to return to reading array.
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PDF描述 |
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