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参数资料
| 型号： | S30V60T |
| 元件分类： | 整流器 |
| 英文描述： | 30 A, 600 V, SILICON, RECTIFIER DIODE |
| 封装： | MTO-3PT, 3 PIN |
| 文件页数： | 1/2页 |
| 文件大小： | 331K |
| 代理商： | S30V60T |
■外観図 OUTLINE
外形図については新電元 Web サイト又は〈半導体製品一覧表〉をご参照下
さい。捺印表示については捺印仕様をご確認下さい。
For details of outline dimensions, refer to our web site or the Semiconductor
Short Form Catalog. As for the marking, refer to the specification “Marking,
Terminal Connection”.
特 長
Feature
■定格表 RATINGS
（J534-1）
162
2 端子型
Two Terminal Type
Rectifier Diode
S30V60T
600V 30A
高耐圧
高 IFSM
High Voltage
Large IFSM
Package
：MTO-3PT
Unit : mm
Weight : 5.2g（typ.）
30V60T
S
S30V60T
Unit
Item
Symbol Conditions
Type No.
Storage Temperature
Operation Junction Temperature
Maximum Reverse Voltage
Average Rectified Forward Current
Peak Surge Forward Current
Current Squared Time
Mounting Torque
Forward Voltage
Reverse Current
Thermal Resistance
Pulse measurement
Junction to Case
With heatsink
50Hz sine wave, Resistance load, Tc = 119
50Hz sine wave, Non-repetitive 1cycle peak value, Tj = 25
Recommended torque : 0.5 N m
Absolute Maximum Ratings
Electrical Characteristics
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| S391D | PIN DIODE, DO-213AA |
| S3AB | 3 A, 50 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-214AA |
| S3DB | 3 A, 200 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-214AA |
| S3BA | 3 A, 100 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-214AA |
| S3A | 2.5 A, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-214AB |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| S30VT60 | 功能描述:桥式整流器 Bridge RoHS:否 制造商:Vishay 产品:Single Phase Bridge 峰值反向电压:1000 V 最大 RMS 反向电压: 正向连续电流:4.5 A 最大浪涌电流:450 A 正向电压下降:1 V 最大反向漏泄电流:10 uA 功率耗散: 最大工作温度:+ 150 C 长度:30.3 mm 宽度:4.1 mm 高度:20.3 mm 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:SIP-4 封装:Tube |
| S30VT60-4000 | 功能描述:桥式整流器 Bridge Diode RoHS:否 制造商:Vishay 产品:Single Phase Bridge 峰值反向电压:1000 V 最大 RMS 反向电压: 正向连续电流:4.5 A 最大浪涌电流:450 A 正向电压下降:1 V 最大反向漏泄电流:10 uA 功率耗散: 最大工作温度:+ 150 C 长度:30.3 mm 宽度:4.1 mm 高度:20.3 mm 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:SIP-4 封装:Tube |
| S30VT80 | 功能描述:桥式整流器 Bridge RoHS:否 制造商:Vishay 产品:Single Phase Bridge 峰值反向电压:1000 V 最大 RMS 反向电压: 正向连续电流:4.5 A 最大浪涌电流:450 A 正向电压下降:1 V 最大反向漏泄电流:10 uA 功率耗散: 最大工作温度:+ 150 C 长度:30.3 mm 宽度:4.1 mm 高度:20.3 mm 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:SIP-4 封装:Tube |
| S30VT80-4000 | 功能描述:桥式整流器 Bridge Diode RoHS:否 制造商:Vishay 产品:Single Phase Bridge 峰值反向电压:1000 V 最大 RMS 反向电压: 正向连续电流:4.5 A 最大浪涌电流:450 A 正向电压下降:1 V 最大反向漏泄电流:10 uA 功率耗散: 最大工作温度:+ 150 C 长度:30.3 mm 宽度:4.1 mm 高度:20.3 mm 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:SIP-4 封装:Tube |
| S30VTA 60 | 功能描述:桥式整流器 Bridge RoHS:否 制造商:Vishay 产品:Single Phase Bridge 峰值反向电压:1000 V 最大 RMS 反向电压: 正向连续电流:4.5 A 最大浪涌电流:450 A 正向电压下降:1 V 最大反向漏泄电流:10 uA 功率耗散: 最大工作温度:+ 150 C 长度:30.3 mm 宽度:4.1 mm 高度:20.3 mm 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:SIP-4 封装:Tube |
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