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参数资料
| 型号： | S30V60T |
| 元件分类： | 整流器 |
| 英文描述： | 30 A, 600 V, SILICON, RECTIFIER DIODE |
| 封装： | MTO-3PT, 3 PIN |
| 文件页数： | 2/2页 |
| 文件大小： | 331K |
| 代理商： | S30V60T |
■特性図 CHARACTERISTIC DIAGRAMS
＊ Sine wave は 50Hz で測定しています。
＊ 50Hz sine wave is used for measurements.
＊半導体製品の特性は一般的にバラツキを持っております。
Typical は統計的な実力を表しています。
＊ Semiconductor products generally have characterristic variation.
Typical is a statistical average of the device’s ability.
（J534-1）
163
Two Terminal Type
S30V60T
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| S391D | PIN DIODE, DO-213AA |
| S3AB | 3 A, 50 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-214AA |
| S3DB | 3 A, 200 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-214AA |
| S3BA | 3 A, 100 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-214AA |
| S3A | 2.5 A, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-214AB |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| S30VT60 | 功能描述:桥式整流器 Bridge RoHS:否 制造商:Vishay 产品:Single Phase Bridge 峰值反向电压:1000 V 最大 RMS 反向电压: 正向连续电流:4.5 A 最大浪涌电流:450 A 正向电压下降:1 V 最大反向漏泄电流:10 uA 功率耗散: 最大工作温度:+ 150 C 长度:30.3 mm 宽度:4.1 mm 高度:20.3 mm 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:SIP-4 封装:Tube |
| S30VT60-4000 | 功能描述:桥式整流器 Bridge Diode RoHS:否 制造商:Vishay 产品:Single Phase Bridge 峰值反向电压:1000 V 最大 RMS 反向电压: 正向连续电流:4.5 A 最大浪涌电流:450 A 正向电压下降:1 V 最大反向漏泄电流:10 uA 功率耗散: 最大工作温度:+ 150 C 长度:30.3 mm 宽度:4.1 mm 高度:20.3 mm 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:SIP-4 封装:Tube |
| S30VT80 | 功能描述:桥式整流器 Bridge RoHS:否 制造商:Vishay 产品:Single Phase Bridge 峰值反向电压:1000 V 最大 RMS 反向电压: 正向连续电流:4.5 A 最大浪涌电流:450 A 正向电压下降:1 V 最大反向漏泄电流:10 uA 功率耗散: 最大工作温度:+ 150 C 长度:30.3 mm 宽度:4.1 mm 高度:20.3 mm 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:SIP-4 封装:Tube |
| S30VT80-4000 | 功能描述:桥式整流器 Bridge Diode RoHS:否 制造商:Vishay 产品:Single Phase Bridge 峰值反向电压:1000 V 最大 RMS 反向电压: 正向连续电流:4.5 A 最大浪涌电流:450 A 正向电压下降:1 V 最大反向漏泄电流:10 uA 功率耗散: 最大工作温度:+ 150 C 长度:30.3 mm 宽度:4.1 mm 高度:20.3 mm 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:SIP-4 封装:Tube |
| S30VTA 60 | 功能描述:桥式整流器 Bridge RoHS:否 制造商:Vishay 产品:Single Phase Bridge 峰值反向电压:1000 V 最大 RMS 反向电压: 正向连续电流:4.5 A 最大浪涌电流:450 A 正向电压下降:1 V 最大反向漏泄电流:10 uA 功率耗散: 最大工作温度:+ 150 C 长度:30.3 mm 宽度:4.1 mm 高度:20.3 mm 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:SIP-4 封装:Tube |
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