- 您现在的位置：买卖IC网 > Datasheet目录144 > S3N (Fairchild Semiconductor)DIODE GPP 3A 1200V SMC Datasheet资料下载
参数资料
| 型号： | S3N |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 2/5页 |
| 文件大小： | 215K |
| 描述： | DIODE GPP 3A 1200V SMC |
| 标准包装： | 3,000 |
| 二极管类型： | 标准 |
| 电压 - (Vr)（最大）： | 1200V（1.2kV） |
| 电流 - 平均整流 (Io)： | 3A |
| 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)（最大）： | 1.2V @ 3A |
| 速度： | 标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） |
| 反向恢复时间(trr)： | 2.5µs |
| 电流 - 在 Vr 时反向漏电： | 5µA @ 1200V |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | DO-214AB，SMC |
| 供应商设备封装： | DO-214AB，（SMC） |
| 包装： | 带卷 (TR) |
S3N — 3 A, 1200 V Su
rface Mount Rectifier
? 2009 Fairchild Semiconductor Corporation
www.fairchildsemi.com
S3N Rev. 1.1.0 2
Thermal Characteristics(1)
Note:
1. Device mounted on FR-4 PCB with 0.4 inch x 0.4 inch (10 mm x 10 mm) Cu pad.
Electrical Characteristics
Values are at TA
= 25°C unless otherwise noted
.
Symbol Parameter Typical Units
RθJL
Thermal Resistance, Junction to Lead 13
°C/W
RθJA
Thermal Resistance, Junction to Ambient 47
°C/W
Symbol Parameter Conditions Min. Typ. Max. Units
VF
Forward Voltage IF
= 3.0 A 1.2 V
Trr
Reverse Recovery Time IF
= 0.5 A, I
R
= 1.0 A, I
rr
= 0.25 A 2.5
μs
IR
Reverse Current Vr = 1200 V
TA = 25°C5
μA
TA = 125°C250
CT
Typical Junction Capacitance Vr
= 4.0 V, f = 1.0 MHz 60 pF
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| S5M-E3/9AT | DIODE GPP 5A 1000V SMC DO-214AB |
| S5MC-13-F | RECTIFIER GPP 1000V 5A SMC |
| S8KC-13 | DIODE GPP 8.0A 800V SMC |
| SA2M-E3/61T | DIODE SCHOTTKY 2A 1000V SMA |
| SB007-03C-TB-E | DIODE SCHOTTKY 70MA 30V CP |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| S3N12.5F-A | 制造商:TE Connectivity 功能描述: |
| S3N150TWS4 | 制造商:ABB Low Voltage Products and Systems 功能描述: |
| S3N-7DWHS-L5-GP | 制造商:Cooler Master Co., Ltd. 功能描述:COOLER MASTER SOCKET LGA771 - Bulk |
| S-3-NIL-12V | 制造商:PANASONIC 制造商全称:Panasonic Semiconductor 功能描述:4 AMP POLARIZED HIGH DENSITY RELAY |
| S-3-NIL-24V | 制造商:PANASONIC 制造商全称:Panasonic Semiconductor 功能描述:4 AMP POLARIZED HIGH DENSITY RELAY |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。