参数资料
型号: S50VB60
元件分类: 桥式整流
英文描述: 30 A, 600 V, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE
封装: S50VB, SQIP-4
文件页数: 2/2页
文件大小: 398K
代理商: S50VB60
■特性図 CHARACTERISTIC DIAGRAMS
* Sine wave は 50Hz で測定しています。
* 50Hz sine wave is used for measurements.
*半導体製品の特性は一般的にバラツキを持っております。
 Typical は統計的な実力を表しています。
* Semiconductor products generally have characterristic variation.
Typical is a statistical average of the device’s ability.
(J534-1)
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SQIP Bridge
S50VB
相关PDF资料
PDF描述
S5295B 0.5 A, 100 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-15
S5295JTPA1 0.5 A, 600 V, SILICON, SIGNAL DIODE
S5566B 1 A, 100 V, SILICON, SIGNAL DIODE
S5566GTPB2 1 A, 400 V, SILICON, SIGNAL DIODE
S5566JTPA3 1 A, 600 V, SILICON, SIGNAL DIODE
相关代理商/技术参数
参数描述
S50VB60-4000 功能描述:整流器 VRM=600 IFSM=500 RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 产品:Standard Recovery Rectifiers 配置: 反向电压:100 V 正向电压下降: 恢复时间:1.2 us 正向连续电流:2 A 最大浪涌电流:35 A 反向电流 IR:5 uA 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-221AC 封装:Reel
S50VB60-7000 功能描述:整流器 VRM=600 IFSM=500 RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 产品:Standard Recovery Rectifiers 配置: 反向电压:100 V 正向电压下降: 恢复时间:1.2 us 正向连续电流:2 A 最大浪涌电流:35 A 反向电流 IR:5 uA 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-221AC 封装:Reel
S50VB80 功能描述:整流器 Bridge RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 产品:Standard Recovery Rectifiers 配置: 反向电压:100 V 正向电压下降: 恢复时间:1.2 us 正向连续电流:2 A 最大浪涌电流:35 A 反向电流 IR:5 uA 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-221AC 封装:Reel
S50VB80-4000 功能描述:整流器 VRM=800 IFSM=500 RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 产品:Standard Recovery Rectifiers 配置: 反向电压:100 V 正向电压下降: 恢复时间:1.2 us 正向连续电流:2 A 最大浪涌电流:35 A 反向电流 IR:5 uA 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-221AC 封装:Reel
S50VB80-7000 功能描述:整流器 VRM=800 IFSM=500 RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 产品:Standard Recovery Rectifiers 配置: 反向电压:100 V 正向电压下降: 恢复时间:1.2 us 正向连续电流:2 A 最大浪涌电流:35 A 反向电流 IR:5 uA 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-221AC 封装:Reel