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参数资料
| 型号： | S8592 |
| 元件分类： | 光敏二极管 |
| 英文描述： | PHOTO DIODE |
| 封装： | CERAMIC, DIP-18 |
| 文件页数： | 1/2页 |
| 文件大小： | 119K |
| 代理商： | S8592 |
S8592
S8592 is a 1-D 16-element Si photodiode array formed by micro-machining techniques to provide exceptionally low cross-talk. (Patent pending)
Features
l Low cross-talk
l 1-D 16-element photodiode array
l Active area: 1.45 × 0.9 mm (× 16 elements)
Element pitch: 1.0 mm
l 18-pin DIP ceramic package
Applications
l Low-light-level detection
l Spectrophotometers
l Position detection
PHOTODIODE
Si photodiode array
1-D photodiode array with low cross-talk
Patent Pending
I Absolute maximum ratings (Ta=25 °C)
Parameter
Symbol
Value
Unit
Reverse voltage
VR Max.
5
V
Operating temperature
Topr
-20 to +60
°C
Storage temperature
Tstg
-20 to +80
°C
I Electrical and optical characteristics (Ta=25 °C, unless otherwise noted, per 1 element)
Parameter
Symbol
Condition
Min.
Typ.
Max.
Unit
Spectral response range
l
-
320 to 1000
-
nm
Peak sensitivity wavelength
lp
-
720
-
nm
Photo sensitivity
S
l=410 nm
-0.28-A/W
Dark current
ID
VR=10 mV
-
1
20
pA
Terminal capacitance
Ct
VR=0 V, f=10 kHz
-
60
-
pF
Rise time
tr
VR=0 V, RL=1 kW
-
0.15
-
s
1
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PDF描述 |
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