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参数资料
| 型号： | S9S08DZ32F1MLH |
| 厂商： | Freescale Semiconductor |
| 文件页数： | 365/416页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MCU 32K FLASH MASK AUTO 64-LQFP |
| 标准包装： | 160 |
| 系列： | S08 |
| 核心处理器： | S08 |
| 芯体尺寸： | 8-位 |
| 速度： | 40MHz |
| 连通性： | CAN，I²C，LIN，SCI，SPI |
| 外围设备： | LVD，POR，PWM，WDT |
| 输入/输出数： | 53 |
| 程序存储器容量： | 32KB（32K x 8） |
| 程序存储器类型： | 闪存 |
| EEPROM 大小： | 1K x 8 |
| RAM 容量： | 2K x 8 |
| 电压 - 电源 (Vcc/Vdd)： | 2.7 V ~ 5.5 V |
| 数据转换器： | A/D 24x12b |
| 振荡器型： | 外部 |
| 工作温度： | -40°C ~ 125°C |
| 封装/外壳： | 64-LQFP |
| 包装： | 托盘 |
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Chapter 4 Memory
MC9S08DZ60 Series Data Sheet, Rev. 4
52
Freescale Semiconductor
4.4
RAM
The MC9S08DZ60 Series includes static RAM. The locations in RAM below 0x0100 can be accessed
using the more efcient direct addressing mode, and any single bit in this area can be accessed with the bit
manipulation instructions (BCLR, BSET, BRCLR, and BRSET). Locating the most frequently accessed
program variables in this area of RAM is preferred.
The RAM retains data while the MCU is in low-power wait, stop2, or stop3 mode. At power-on the
contents of RAM are uninitialized. RAM data is unaffected by any reset if the supply voltage does not drop
below the minimum value for RAM retention (VRAM).
For compatibility with M68HC05 MCUs, the HCS08 resets the stack pointer to 0x00FF. In the
MC9S08DZ60 Series, it is usually best to reinitialize the stack pointer to the top of the RAM so the direct
page RAM can be used for frequently accessed RAM variables and bit-addressable program variables.
Include the following 2-instruction sequence in your reset initialization routine (where RamLast is equated
to the highest address of the RAM in the Freescale Semiconductor equate le).
LDHX
#RamLast+1
;point one past RAM
TXS
;SP<-(H:X-1)
When security is enabled, the RAM is considered a secure memory resource and is not accessible through
BDM or code executing from non-secure memory. See Section 4.5.9, “Security”, for a detailed description
of the security feature.
4.5
Flash and EEPROM
MC9S08DZ60 Series devices include Flash and EEPROM memory intended primarily for program and
data storage. In-circuit programming allows the operating program and data to be loaded into Flash and
EEPROM, respectively, after nal assembly of the application product. It is possible to program the arrays
through the single-wire background debug interface. Because no special voltages are needed for erase and
programming operations, in-application programming is also possible through other software-controlled
communication paths. For a more detailed discussion of in-circuit and in-application programming, refer
to the HCS08 Family Reference Manual, Volume I, Freescale Semiconductor document order number
HCS08RMv1.
4.5.1
Features
Features of the Flash and EEPROM memory include:
Array size (see Table 1-1 for exact array sizes)
Flash sector size: 768 bytes
EEPROM sector size: selectable 4-byte or 8-byte sector mapping operation
Single power supply program and erase
Command interface for fast program and erase operation
Up to 100,000 program/erase cycles at typical voltage and temperature
Flexible block protection and vector redirection
Security feature for Flash, EEPROM, and RAM
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PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| S9S08DZ32F1VLCR | 制造商:Freescale Semiconductor 功能描述: |
| S9S08DZ32F1VLHR | 制造商:Freescale Semiconductor 功能描述: |
| S9S08DZ48F1CLF | 制造商:FREESCALE 制造商全称:Freescale Semiconductor, Inc 功能描述:S9S08DZ48F1CLF |
| S9S08DZ48F1CLH | 功能描述:8位微控制器 -MCU 48K FLASH, 3K RAM, EEPRO RoHS:否 制造商:Silicon Labs 核心:8051 处理器系列:C8051F39x 数据总线宽度:8 bit 最大时钟频率:50 MHz 程序存储器大小:16 KB 数据 RAM 大小:1 KB 片上 ADC:Yes 工作电源电压:1.8 V to 3.6 V 工作温度范围:- 40 C to + 105 C 封装 / 箱体:QFN-20 安装风格:SMD/SMT |
| S9S08DZ48F1MLC | 功能描述:8位微控制器 -MCU M74K MASK ONLY-AUTO RoHS:否 制造商:Silicon Labs 核心:8051 处理器系列:C8051F39x 数据总线宽度:8 bit 最大时钟频率:50 MHz 程序存储器大小:16 KB 数据 RAM 大小:1 KB 片上 ADC:Yes 工作电源电压:1.8 V to 3.6 V 工作温度范围:- 40 C to + 105 C 封装 / 箱体:QFN-20 安装风格:SMD/SMT |
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