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参数资料
型号： SAC18E3
厂商： MICROSEMI CORP-SCOTTSDALE
元件分类： TVS二极管 - 瞬态电压抑制
英文描述： 500 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-41
封装： ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-2
文件页数： 2/4页
文件大小： 211K
代理商： SAC18E3
Microsemi
Scottsdale Division
Page 2
Copyright
2007
6-20-2007 REV E
WWW
.Microse
m
i
.CO
M
SAC5.0 thru SAC50, e3
500 WATT LOW CAPACITANCE
TRANSIENT VOLTAGE SUPPRESSOR
S C O T TS DALE DIVISION
ELECTRICAL CHARACTERISTICS @ 25oC
MICROSEMI
PART
NUMBER
REVERSE
STAND-OFF
VOLTAGE
(Note 1)
VWM
Volts
BREAKDOWN
VOLTAGE
V(BR) @ I(BR)
1.0mA
V(BR)
Volts
Min.
MAXIMUM
STANDBY
CURRENT
ID @VWM
μA
MAXIMUM
CLAMPING
VOLTAGE
VC
@ IP = 5.0A
Volts
MAXIMUM
PEAK PULSE
CURRENT
RATING
(Note 2)
IPP
Amps
MAXIMUM
CAPACITANCE
@ O Volts
pF
WORKING
INVERSE
BLOCKING
VOLTAGE
VWIB
Volts
INVERSE
BLOCKING
LEAKAGE
CURRENT
@ VWIB
IIB A
PEAK
INVERSE
BLOCKING
VOLTAGE
VPIB
Volts
SAC5.0
SAC6.0
5.0
6.0
7.60
7.90
300
10.0
11.2
44
41
30
75
10
100
SAC7.0
SAC8.0
7.0
8.0
8.33
8.89
300
100
12.6
13.4
38
36
30
75
10
100
SAC8.5
SAC10
8.5
10
9.44
11.10
50
5.0
14.0
16.3
34
29
30
75
10
100
SAC12
SAC15
12
15
13.30
16.70
5.0
19.0
23.6
25
20
30
75
10
100
SAC18
SAC22
18
22
20.00
24.40
5.0
28.8
35.4
15
14
30
75
10
100
SAC26
SAC36
26
36
28.90
40.0
5.0
42.3
60.0
11.1
8.6
30
75
10
100
SAC45
SAC50
45
50
50.00
55.50
5.0
77.0
88.0
6.8
5.8
30
150
10
200
Note 1: A transient voltage suppressor is normally selected according to voltage (VWM), which should be equal to or greater than the dc or continuous peak
operating voltage level.
Note 2: Test in TVS avalanche direction. Do not pulse in “forward” direction. See section for “Schematic Applications” herein.
GRAPHS
SAC5.0
thru
SAC50,
e3
tw – Pulse Width μs
FIGURE 1
8700 E. Thomas Rd. PO Box 1390, Scottsdale, AZ 85252 USA, (480) 941-6300, Fax: (480) 947-1503
相关PDF资料
PDF描述
SAC22E3 500 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-41
MQSMCG10CTR 1500 W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-215AB
MQSMCG10C 1500 W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-215AB
MQSMCG10 1500 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-215AB
MQSMCG11CTR 1500 W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-215AB
相关代理商/技术参数
参数描述
SAC18-E3/1 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 500W 18V 10% Unidir RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C
SAC18-E3/4 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 500W 18V 10% Low Cap RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C
SAC18-E3/51 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 500W 18V 10% Low Cap RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C
SAC18-E3/54 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 500W 18V 10% Low Cap RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C
SAC18-E3/73 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 500W 18V 10% Low Cap RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C
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