型号: | SAC6.0P |
厂商: | MICRO COMMERCIAL COMPONENTS |
元件分类: | 参考电压二极管 |
英文描述: | 500 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-15 |
封装: | PLASTIC PACKAGE-2 |
文件页数: | 1/4页 |
文件大小: | 404K |
代理商: | SAC6.0P |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
---|---|
SMBJ350CAP | 600 W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AA |
SK23GP | 2 A, 30 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-214AA |
SMBJP6KE39CAP | 600 W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AA |
SMBJP6KE530CAP | 600 W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AA |
SMAJ36CP | 400 W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AC |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
---|---|
SAC7 | 制造商:MICROSEMI 制造商全称:Microsemi Corporation 功能描述:LOW CAPACITANCE TRANSIENT ABSORPTION ZENER |
SAC7.0 | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 TVS Diode Low Cap P6KE RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |
SAC7.0/1 | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 500W 7.0V 10% Unidir RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |
SAC7.0/4 | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 500W 7V 10% Low Cap RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |
SAC7.0/54 | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 500W 7V 10% Low Cap RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |