- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录48761 > SACB36 500 W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AA PDF资料下载
参数资料
| 型号： | SACB36 |
| 元件分类： | TVS二极管 - 瞬态电压抑制 |
| 英文描述： | 500 W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AA |
| 封装： | ROHS COMPLIANT, PLASTIC, SMB, 2 PIN |
| 文件页数： | 3/4页 |
| 文件大小： | 175K |
| 代理商： | SACB36 |
21
2009 Littelfuse, Inc.
Specications are subject to change without notice.
Transient Voltage Suppression Diodes
Revision: January 09, 2009
SACB Series
Surface Mount – 500W > SACB series
Please refer to http://www.Littelfuse.com/series/SACB.html for current information.
S
A
CB
S
eries
Physical Specications
Weight
0.003oz., 0.093g
Case
JEDEC DO-214AA molded plastic body
over glass passivated junction.
Polarity
Color band denotes cathode except
Bidirectional
Terminal
Matte Tin-plated leads. Solderable per
JESD22-B102D.
Dimensions
Environmental Specications
Temperature Cycle
JESD22-A104
Pressure Cooker
JESD 22-A102
High Temp. Storage
JESD22-A103
HTRB
JESD22-A108
Thermal Shock
JESD22-A106
Soldering Parameters
T
e
mperature
(T
)
Time (t)
T
s(min)
T
s(max)
T
L
T
P
t
s
Preheat
t
L
t
p
Ramp-up
Critical Zone
T
L
to T
P
Ramp-down
t 25C to Peak
25C
Reow Condition
Pre Heat
-Temperature Min (T
s(min))
150°C
-Temperature Max (T
s(max))
200°C
-Time (min to max) (t
s)
Average ramp up rate (LiquidusTemp
(T
L) to peak
3°C/second max
T
S(max) to TL - Ramp-up Rate
3°C/second max
Reow
-Temperature (T
L) (Liquidus)
217°C
-Time (min to max) (t
s)
PeakTemperature (T
P)
260+0/-5 °C
Time within 5°C of actual peak
Temperature (t
p)
Ramp-down Rate
6°C/second max
Time 25°C to peakTemperature (T
P)
8 minutes Max.
Do not exceed
280°C
Flow/Wave Soldering (Solder Dipping)
Peak Temperature :
265OC
Dipping Time :
10 seconds
Soldering :
1 time
A
D
E
G
F
H
C
B
Cathode Band
DO-214AA (SMB J-Bend)
Dimensions
Inches
Millimeters
Min
Max
Min
Max
A
0.077
0.086
1.950
2.200
B
0.160
0.180
4.060
4.570
C
0.130
0.155
3.300
3.940
D
0.084
0.096
2.130
2.440
E
0.030
0.060
0.760
1.520
F
-
0.008
-
0.203
G
0.205
0.220
5.210
5.590
H
0.006
0.012
0.152
0.305
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| SACB45 | 500 W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AA |
| SAM50FASMSTX | 0.5 A, SILICON, SIGNAL DIODE |
| SAM50FATX | 0.5 A, SILICON, SIGNAL DIODE |
| SB02-03C | 0.2 A, 30 V, SILICON, SIGNAL DIODE |
| SB02-03C | 0.2 A, 30 V, SILICON, SIGNAL DIODE |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| SACB45 | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 TVS 500W 45V RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |
| SACB5.0 | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 TVS 500W 5V DO-214AA TR13 RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |
| SACB50 | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 TVS 500W 50V RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |
| SACB6.0 | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 TVS 500W 6V DO-214AA TR13 RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |
| SACB7.0 | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 TVS 500W 7V DO-214AA TR13 RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。