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参数资料
| 型号： | SB0503EC |
| 厂商： | SANYO SEMICONDUCTOR CO LTD |
| 元件分类： | 二极管(射频、小信号、开关、功率) |
| 英文描述： | 0.5 A, 30 V, SILICON, SIGNAL DIODE |
| 封装： | ECSP1008-2, 2 PIN |
| 文件页数： | 3/3页 |
| 文件大小： | 46K |
| 代理商： | SB0503EC |
Philips Semiconductors
Product specification
Triacs
BT139B series E
sensitive gate
Fig.1. Maximum on-state dissipation, P
tot, versus rms
on-state current, I
T(RMS), where α = conduction angle.
Fig.2. Maximum permissible non-repetitive peak
on-state current I
TSM, versus pulse width tp, for
sinusoidal currents, t
p ≤ 20ms.
Fig.3. Maximum permissible non-repetitive peak
on-state current I
TSM, versus number of cycles, for
sinusoidal currents, f = 50 Hz.
Fig.4. Maximum permissible rms current I
T(RMS) ,
versus mounting base temperature T
mb.
Fig.5. Maximum permissible repetitive rms on-state
current I
T(RMS), versus surge duration, for sinusoidal
currents, f = 50 Hz; T
mb ≤ 99C.
Fig.6. Normalised gate trigger voltage
V
GT(Tj)/ VGT(25C), versus junction temperature Tj.
0
5
10
15
20
0
5
10
15
20
25
= 180
120
90
60
30
IT(RMS) / A
Ptot / W
Tmb(max) / C
125
119
113
107
101
95
1
-50
0
50
100
150
0
5
10
15
20
BT139
99 C
Tmb / C
IT(RMS) / A
10us
100us
1ms
10ms
100ms
10
100
1000
T / s
ITSM / A
T
ITSM
time
I
Tj initial = 25 C max
T
dI /dt limit
T
T2- G+ quadrant
0.01
0.1
1
10
0
10
20
30
40
50
surge duration / s
IT(RMS) / A
1
10
100
1000
0
50
100
150
Number of cycles at 50Hz
ITSM / A
T
ITSM
time
I
Tj initial = 25 C max
T
-50
0
50
100
150
0.4
0.6
0.8
1
1.2
1.4
1.6
Tj / C
VGT(Tj)
VGT(25 C)
July 2001
3
Rev 1.200
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| SB0503EJ | 0.5 A, 30 V, SILICON, SIGNAL DIODE |
| SB0503SH | 0.5 A, 30 V, SILICON, SIGNAL DIODE |
| SB0503SH | 0.5 A, 30 V, SILICON, SIGNAL DIODE |
| SB060-E3/73 | 0.6 A, 60 V, SILICON, SIGNAL DIODE |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
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| SB0503EJ | 制造商:SANYO 制造商全称:Sanyo Semicon Device 功能描述:30V, 500mA Rectifier |
| SB05-03Q | 制造商:SANYO 制造商全称:Sanyo Semicon Device 功能描述:30V, 500mA Rectifier |
| SB05-03Q-TL-E | 功能描述:肖特基二极管与整流器 SCHOTTKY DIODE 500MA 30V RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 产品:Schottky Diodes 峰值反向电压:2 V 正向连续电流:50 mA 最大浪涌电流: 配置:Crossover Quad 恢复时间: 正向电压下降:370 mV 最大反向漏泄电流: 最大功率耗散:75 mW 工作温度范围:- 65 C to + 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-143 封装:Reel |
| SB0503SH | 制造商:SANYO 制造商全称:Sanyo Semicon Device 功能描述:Schottky Barrier Diode 30V, 0.5A Rectifier |
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