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参数资料
| 型号： | SB150 |
| 厂商： | GENERAL SEMICONDUCTOR INC |
| 元件分类： | 二极管(射频、小信号、开关、功率) |
| 英文描述： | 1 A, 50 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-204AL |
| 封装： | PLASTIC, DO-41, 2 PIN |
| 文件页数： | 2/2页 |
| 文件大小： | 38K |
| 代理商： | SB150 |
SB120 thru SB160
Schottky Barrier Rectifier
Ratings and
Characteristic Curves (TA = 25°C unless otherwise noted)
Instantaneous
Forward
Current
(A)
50
10
Instantaneous
Reverse
Current
(mA)
1.0
0.1
0.01
Fig. 1 - Forward Current Derating Curve
0
0.25
0.5
0.75
0
50
75
25
100
125
150
175
1.0
A
verage
Forward
Current
(A)
Peak
Forward
Surge
Current
(A)
Number of Cycles at 60 HZ
Fig. 2 - Maximum Non-Repetitive Peak
Forward Surge Current
0
10
30
20
50
40
110
100
TJ = TJ max.
8.3ms Single Half Sine-Wave
(JEDEC Method)
Lead Temperature (
°C)
Fig. 3 - Typical Instantaneous
Forward Characteristics
1.0
10
100
0.01
0.001
0.1
TJ = 125
°C
Resistive or
Inductive Load
0.375" (9.5mm)
Lead Length
T
ransient
Thermal
Impedance
(
°C/W)
0.01
110
100
10
100
0.1
1
Pulse Duration (sec.)
TJ = 125
°C
Fig. 5 - Typical Junction Capacitance
Junction
Capacitance
(pF)
110
100
400
10
0.1
Reverse Voltage (V)
TJ = 25
°C
f = 1.0 MHZ
Vsig = 50mVp-p
Instantaneous Forward Voltage (V)
0
0.4
0.2
1.2
0.8
0.6
1.4
1.6
1.0
Pulse Width = 300
s
1% Duty Cycle
0
20
100
40
60
80
Fig. 6 - Typical Transient
Thermal Impedance
Percent of Rated Peak Reverse Voltage (%)
SB120 — SB140
SB150
& SB160
TJ = 25
°C
TJ = 150
°C
SB120 — SB140
SB150 & SB160
SB120 — SB140
SB150 & SB160
TJ = 75
°C
TJ = 25
°C
SB120 — SB140
SB150 & SB160
Fig. 4 - Typical Reverse Characteristics
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| SB130 | 1 A, 30 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-204AL |
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| SB1530-TP | 15 A, 30 V, SILICON, RECTIFIER DIODE |
| SB1550-AP | 15 A, 50 V, SILICON, RECTIFIER DIODE |
| SB1580-AP | 15 A, 80 V, SILICON, RECTIFIER DIODE |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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