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参数资料
| 型号： | SBAS21LT1 |
| 厂商： | ON SEMICONDUCTOR |
| 元件分类： | 二极管(射频、小信号、开关、功率) |
| 英文描述： | 0.2 A, 250 V, SILICON, SIGNAL DIODE, TO-236AB |
| 封装： | CASE 318-08, TO-236, 3 PIN |
| 文件页数： | 2/6页 |
| 文件大小： | 99K |
| 代理商： | SBAS21LT1 |
BAS19LT1, BAS20LT1, BAS21LT1, BAS21DW5T1
http://onsemi.com
2
THERMAL CHARACTERISTICS (SOT23)
Characteristic
Symbol
Max
Unit
Total Device Dissipation FR5 Board
(Note 2)
TA = 25°C
Derate above 25°C
PD
225
1.8
mW
mW/°C
Thermal Resistance
JunctiontoAmbient (SOT23)
RqJA
556
°C/W
Total Device Dissipation Alumina Substrate
(Note 3)
TA = 25°C
Derate above 25°C
PD
300
2.4
mW
mW/°C
Thermal Resistance JunctiontoAmbient
RqJA
417
°C/W
Junction and Storage
Temperature Range
TJ, Tstg
55 to +150
°C
THERMAL CHARACTERISTICS (SC88A)
Characteristic
Symbol
Max
Unit
Power Dissipation (Note 4)
PD
385
mW
Thermal Resistance
JunctiontoAmbient
Derate Above 25°C
RqJA
328
3.0
°C/W
mW/°C
Maximum Junction Temperature
TJmax
150
°C
Operating Junction and Storage Temperature Range
TJ, Tstg
55 to +150
°C
2. FR5 = 1.0
0.75
0.062 in.
3. Alumina = 0.4
0.3
0.024 in. 99.5% alumina.
4. Mounted on FR5 Board = 1.0 x 0.75 x 0.062 in.
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TA = 25°C unless otherwise noted)
Characteristic
Symbol
Min
Max
Unit
Reverse Voltage Leakage Current
(VR = 100 Vdc)
BAS19
(VR = 150 Vdc)
BAS20
(VR = 200 Vdc)
BAS21
(VR = 100 Vdc, TJ = 150°C)
BAS19
(VR = 150 Vdc, TJ = 150°C)
BAS20
(VR = 200 Vdc, TJ = 150°C)
BAS21
IR
0.1
100
mAdc
Reverse Breakdown Voltage
(IBR = 100 mAdc)
BAS19
(IBR = 100 mAdc)
BAS20
(IBR = 100 mAdc)
BAS21
V(BR)
120
200
250
Vdc
Forward Voltage
(IF = 100 mAdc)
(IF = 200 mAdc)
VF
1.0
1.25
Vdc
Diode Capacitance (VR = 0, f = 1.0 MHz)
CD
5.0
pF
Reverse Recovery Time (IF = IR = 30 mAdc, IR(REC) = 3.0 mAdc, RL = 100)
trr
50
ns
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PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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| SBAS40-06LT1 | 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:- Bulk |
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