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参数资料
| 型号： | SBAS21LT1 |
| 厂商： | ON SEMICONDUCTOR |
| 元件分类： | 二极管(射频、小信号、开关、功率) |
| 英文描述： | 0.2 A, 250 V, SILICON, SIGNAL DIODE, TO-236AB |
| 封装： | CASE 318-08, TO-236, 3 PIN |
| 文件页数： | 3/6页 |
| 文件大小： | 99K |
| 代理商： | SBAS21LT1 |
BAS19LT1, BAS20LT1, BAS21LT1, BAS21DW5T1
http://onsemi.com
3
Notes: 1. A 2.0 kW variable resistor adjusted for a Forward Current (IF) of 30 mA.
Notes: 2. Input pulse is adjusted so IR(peak) is equal to 30 mA.
Notes: 3. tp trr
+10 V
2.0 k
820
W
0.1
mF
D.U.T.
VR
100
mH
0.1
mF
50
W OUTPUT
PULSE
GENERATOR
50
W INPUT
SAMPLING
OSCILLOSCOPE
tr
tp
t
10%
90%
IF
IR
trr
t
IR(REC) = 3.0 mA
OUTPUT PULSE
(IF = IR = 30 mA; MEASURED
at IR(REC) = 3.0 mA)
IF
INPUT SIGNAL
Figure 1. Recovery Time Equivalent Test Circuit
VF, FORWARD VOLTAGE (V)
0.1
10
20
VR, REVERSE VOLTAGE (V)
1.0
0.1
0.01
0.001
50
80
110
140
170
1.6
0
VR, REVERSE VOLTAGE (V)
1.4
1.0
0.6
0.4
C
D
,DIODE
CAP
ACIT
ANCE
(pF)
24
6
8
I F
,FOR
W
ARD
CURRENT
(mA)
Figure 2. VF vs. IF
Figure 3. IR vs. VR
Figure 4. Capacitance
I R
,REVERSE
CURRENT
(μ
A)
1.0
10
100
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
85
°C
55
°C
150
°C
125
°C
25
°C
-55
°C
200
230
0.8
1.2
13
5
7
Cap
-40
°C
260
150
°C
125
°C
85
°C
55
°C
25
°C
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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| SBAS40-06LT1 | 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:- Bulk |
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