参数资料
型号: SBAS40LT1G
厂商: ON Semiconductor
文件页数: 2/3页
文件大小: 88K
描述: DIODE SCHOTTKY 40V SOT23
标准包装: 3,000
二极管类型: 肖特基
电压 - (Vr)(最大): 40V
电流 - 平均整流 (Io): 120mA(DC)
电压 - 在 If 时为正向 (Vf)(最大): 1V @ 40mA
速度: 小信号 =< 200mA(Io),任意速度
电流 - 在 Vr 时反向漏电: 1µA @ 25V
电容@ Vr, F: 5pF @ 1V,1MHz
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
供应商设备封装: SOT-23
包装: 带卷 (TR)
BAS40L, SBAS40L
http://onsemi.com
2
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TA
= 25
°C unless otherwise noted)
Characteristic
Symbol
Min
Max
Unit
Reverse Breakdown Voltage
(IR
= 10
A)
V(BR)R
40
?
V
Total Capacitance
(VR
= 1.0 V, f = 1.0 MHz)
CT
?
5.0
pF
Reverse Leakage
(VR
= 25 V)
IR
?
1.0
Adc
Forward Voltage
(IF
= 1.0 mAdc)
VF
?
380
mVdc
Forward Voltage
(IF
= 10 mAdc)
VF
?
500
mVdc
Forward Voltage
(IF
= 40 mAdc)
VF
?
1.0
Vdc
100
0.1
0 0.1
VF, FORWARD VOLTAGE (VOLTS)
0.2 0.3 0.4
0.5
10
1.0
85°C
10
0.001
0
VR, REVERSE VOLTAGE (VOLTS)
1.0
0.1
0.01
5.0 10 15 20
25
3.5
0
0
VR, REVERSE VOLTAGE (VOLTS)
3.0
1.0
0.5
C
T
, CAPACITANCE (pF)
5.0 10 15 4020
25
30 35
I
F
, FORWARD CURRENT (mA)
Figure 1. Typical Forward Voltage Figure 2. Reverse Current versus Reverse
Voltage
Figure 3. Typical Capacitance
-°C
25°C
100
TA
= 150
°C
25°C
I
R
, REVERSE CURRENT (
μ
A)
0.8
-°C
1°C
150°C
1.5
2.0
2.5
0.6 0.7
125°C
85°C
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