参数资料
型号: SBAV99LT1
厂商: ON SEMICONDUCTOR
元件分类: 二极管(射频、小信号、开关、功率)
英文描述: 0.715 A, 70 V, 2 ELEMENT, SILICON, SIGNAL DIODE, TO-236AB
封装: PLASTIC, CASE 318-08, TO-236, 3 PIN
文件页数: 3/4页
文件大小: 51K
代理商: SBAV99LT1
BAV99LT1
http://onsemi.com
3
CURVES APPLICABLE TO EACH DIODE
I R
,REVERSE
CURRENT
(A)μ
100
0.2
0.4
VF, FORWARD VOLTAGE (VOLTS)
0.6
0.8
1.0
1.2
10
1.0
0.1
TA = 85°C
10
0
VR, REVERSE VOLTAGE (VOLTS)
1.0
0.1
0.01
0.001
10
20
30
40
50
0.68
0
VR, REVERSE VOLTAGE (VOLTS)
0.64
0.60
0.56
0.52
C D
,DIODE
CAP
ACIT
ANCE
(pF)
24
6
8
I F
,FOR
W
ARD
CURRENT
(mA)
TA = 25°C
TA = 40°C
TA = 150°C
TA = 125°C
TA = 85°C
TA = 55°C
TA = 25°C
Figure 1. Forward Voltage
Figure 2. Leakage Current
Figure 3. Capacitance
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PDF描述
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参数描述
SBAV99LT1G 功能描述:二极管 - 通用,功率,开关 SS DUAL DIO SPCL TR RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 产品:Switching Diodes 峰值反向电压:600 V 正向连续电流:200 A 最大浪涌电流:800 A 配置: 恢复时间:2000 ns 正向电压下降:1.25 V 最大反向漏泄电流:300 uA 最大功率耗散: 工作温度范围: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:ISOTOP 封装:Tube
SBAV99LT3G 功能描述:二极管 - 通用,功率,开关 SS DUAL DIO SPCL TR RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 产品:Switching Diodes 峰值反向电压:600 V 正向连续电流:200 A 最大浪涌电流:800 A 配置: 恢复时间:2000 ns 正向电压下降:1.25 V 最大反向漏泄电流:300 uA 最大功率耗散: 工作温度范围: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:ISOTOP 封装:Tube
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SBAV99WT1 制造商:ON Semiconductor 功能描述:
SBAV99WT1G 功能描述:二极管 - 通用,功率,开关 SS DUAL DIODE TR RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 产品:Switching Diodes 峰值反向电压:600 V 正向连续电流:200 A 最大浪涌电流:800 A 配置: 恢复时间:2000 ns 正向电压下降:1.25 V 最大反向漏泄电流:300 uA 最大功率耗散: 工作温度范围: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:ISOTOP 封装:Tube