参数资料
型号: SBE812
元件分类: 二极管(射频、小信号、开关、功率)
英文描述: 1 A, 60 V, 2 ELEMENT, SILICON, SIGNAL DIODE
封装: ULTRA SMALL, VEC8, 8 PIN
文件页数: 2/4页
文件大小: 34K
代理商: SBE812
SBE812
No.8966-2/4
Package Dimensions
Electrical Connection
unit : mm
7012-001
trr Test Circuit
Duty
≤10%
50
100
10
--5V
trr
10
s
100mA
10mA
Forward Voltage, VF -- V
Forward
Current,
I
F
--
A
IF -- VF
Reverse Voltage, VR -- V
IR -- VR
Reverse
Current,
I
R
--
A
0
0.2
0.3
0.1
0.4
0.5
0.8
0.6
0.7
3
2
5
7
3
2
5
7
3
2
0.1
5
7
3
2
1.0
0.01
0.001
IT10113
IT10114
0
0.001
0.01
0.1
1.0
10
100
1000
10000
10
20
30
40
50
60
70
T
a=125
°C
100
°C
75
°C
50
°C
25
°C
C
--25
°C
Ta=125°C
100°C
75°C
50°C
25°C
0°C
--25°C
2.9
0.65
2.8
0.25
2.3
0.75
0.07
0.3
123
4
87
6 5
0.15
1 : Anode1
2 : No Contact
3 : Anode2
4 : No Contact
5 : Cathode2
6 : Cathode2
7 : Cathode1
8 : Cathode1
SANYO : VEC8
5
4
6
3
7
2
8
1
1 : Anode1
2 : No Contact
3 : Anode2
4 : No Contact
5 : Cathode2
6 : Cathode2
7 : Cathode1
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SBE817 制造商:SANYO 制造商全称:Sanyo Semicon Device 功能描述:Low IR Schottky Barrier Diode 15V, 2.0A Rectifier