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参数资料
| 型号： | SBE812 |
| 元件分类： | 二极管(射频、小信号、开关、功率) |
| 英文描述： | 1 A, 60 V, 2 ELEMENT, SILICON, SIGNAL DIODE |
| 封装： | ULTRA SMALL, VEC8, 8 PIN |
| 文件页数： | 3/4页 |
| 文件大小： | 34K |
| 代理商： | SBE812 |
SBE812
No.8966-3/4
0
0.2
0.6
0.4
0.8
1.2
1.0
0
20
40
120
100
80
60
140
IT10117
(3)
(1)
(2) (4)
0
0.2
0.6
0.4
0.8
1.0
0.1
0.5
0.3
0.7
0.9
IT10115
0
0.00E+00
2.00E--04
4.00E--04
6.00E--04
20
10
8.00E--04
1.00E--04
3.00E--04
5.00E--04
7.00E--04
40
30
60
50
70
IT10116
(1)
(2)
(3)
(1)
(2)
(3)
(4)
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
(4)
*When mounted in reliability
operaion board, Rth(J-a)=80
°C/W
0.1
2
100
10
2
3
2
5
7
3
35
7 1.0
10
2
3
57
2
3
57
IT09258
Reverse Voltage, VR -- V
C -- VR
Interterminal
Capacitance,
C
-
pF
2
1.0
32
3
57
2
0.1
35
7
0.01
7
0
1
2
5
6
3
4
7
IT09290
IFSM -- t
IS
20ms
t
Current waveform 50Hz sine wave
Time, t -- s
Sur
ge
Forward
Current,
I
FSM
(Peak)
--
A
PF(AV) -- IO
PR(AV) -- VR
θ
360
°
180
°
360
°
Average Output Current, IO -- A
A
verage
Forward
Power
Dissipation,
P
F
(A
V)
-
W
(1)Rectangular wave
θ=60°
(2)Rectangular wave
θ=120°
(3)Rectangular wave
θ=180°
(4)Sine wave
θ =180°
Rectangular
wave
Sine wave
Peak Reverse Voltage, VR -- V
A
verage
Reverse
Power
Dissipation,
P
R
(A
V)
-
W
(1)Rectangular wave
θ=300°
(2)Rectangular wave
θ=240°
(3)Rectangular wave
θ=180°
(4)Sine wave
θ=180°
Rectangular
wave
Sine wave
θ
360
°
VR
180
°
360
°
VR
Tc -- IO
θ
360
°
180
°
360
°
(1)Rectangular wave
θ=60°
(2)Rectangular wave
θ=120°
(3)Rectangular wave
θ=180°
(4)Sine wave
θ=180°
Rectangular
wave
Sine
wave
Case
T
emperature,
T
c
-
°C
Average Output Current, IO -- A
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| SBE813 | 3 A, 30 V, SILICON, RECTIFIER DIODE |
| SBE813 | 3 A, 30 V, SILICON, RECTIFIER DIODE |
| SBE817 | 2 A, 15 V, SILICON, RECTIFIER DIODE |
| SBF1040 | 10 A, 40 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220AC |
| SBF1040 | 10 A, 40 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220AC |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| SBE812-TL-E | 功能描述:肖特基二极管与整流器 SBD DUAL PARALLEL 1A 60V RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 产品:Schottky Diodes 峰值反向电压:2 V 正向连续电流:50 mA 最大浪涌电流: 配置:Crossover Quad 恢复时间: 正向电压下降:370 mV 最大反向漏泄电流: 最大功率耗散:75 mW 工作温度范围:- 65 C to + 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-143 封装:Reel |
| SBE813 | 制造商:SANYO 制造商全称:Sanyo Semicon Device 功能描述:Low IR Schottky Barrier Diode 30V, 3.0A Rectifier |
| SBE813_12 | 制造商:SANYO 制造商全称:Sanyo Semicon Device 功能描述:30V, 3.0A Rectifier |
| SBE813-TL-E | 功能描述:肖特基二极管与整流器 SBD DUAL PARALLEL 3A 30V RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 产品:Schottky Diodes 峰值反向电压:2 V 正向连续电流:50 mA 最大浪涌电流: 配置:Crossover Quad 恢复时间: 正向电压下降:370 mV 最大反向漏泄电流: 最大功率耗散:75 mW 工作温度范围:- 65 C to + 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-143 封装:Reel |
| SBE817 | 制造商:SANYO 制造商全称:Sanyo Semicon Device 功能描述:Low IR Schottky Barrier Diode 15V, 2.0A Rectifier |
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