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参数资料
| 型号： | SBG1030 |
| 厂商： | LITE-ON ELECTRONICS INC |
| 元件分类： | 整流器 |
| 英文描述： | 10 A, 30 V, SILICON, RECTIFIER DIODE |
| 封装： | PLASTIC, D2PAK-3 |
| 文件页数： | 2/2页 |
| 文件大小： | 69K |
| 代理商： | SBG1030 |
RATING AND CHARACTERISTIC CURVES
SBG1030 thru SBG1045
INSTANTANEOUS FORWARD VOLTAGE , VOLTS
FIG.4 - TYPICAL FORWARD CHARACTERISTICS
IN
S
T
A
N
T
A
N
E
O
U
S
F
O
R
W
A
R
D
C
U
R
E
N
T
,(
A
)
0.2
0.3
0.7
0.8
0.1
1.0
10
100
0.4
0.5
0.6
0.1
1.0
0.9
TJ = 25 C
PERCENT OF RATED PEAK REVERSE VOLTAGE, (%)
FIG.3 - TYPICAL REVERSE CHARACTERISTICS
IN
S
T
A
N
T
A
N
E
O
U
S
R
E
V
E
R
S
E
C
U
R
E
N
T
,(
m
A
)
20
40
120
140
0
0.001
0.1
1.0
100
10
60
80
100
TJ = 100 C
.01
TJ = 25 C
PULSE WIDTH 300us
2% Duty Cycle
TJ = 125 C
FIG.5 - TYPICAL JUNCTION CAPACITANCE
C
A
P
A
C
IT
A
N
C
E
,
(p
F
)
REVERSE VOLTAGE , VOLTS
10
1
100
1000
100
10
0.1
4
TJ = 125 C
FIG.2 - MAXIMUM NON-REPETITIVE SURGE CURRENT
NUMBER OF CYCLES AT 60Hz
P
E
A
K
F
O
R
W
A
R
D
S
U
R
G
E
C
U
R
E
N
T
,
A
M
P
E
R
E
S
1
5
10
50
100
2
20
0
50
100
150
200
250
300
Single Half-Sine-Wave
(JEDEC METHOD)
FIG.1 - FORWARD CURRENT DERATING CURVE
A
V
E
R
A
G
E
F
O
R
W
A
R
D
C
U
R
E
N
T
A
M
P
E
R
E
S
25
75
100
125
150
8
0
50
4
12
175
RESISTIVE OR INDUCTIVE LOAD
CASE TEMPERATURE , C
TJ = 25 C, f= 1MHz
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| SBG11100 | RECTIFIER DIODE |
| SBG3050CT-T | 30 A, 50 V, SILICON, RECTIFIER DIODE |
| SBG3040CT-T | 30 A, 40 V, SILICON, RECTIFIER DIODE |
| SBG8100 | RECTIFIER DIODE |
| SBH0204R | 0.2 A, SILICON, SIGNAL DIODE |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
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