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参数资料
| 型号： | SBG1045 |
| 厂商： | LITE-ON ELECTRONICS INC |
| 元件分类： | 整流器 |
| 英文描述： | 10 A, 45 V, SILICON, RECTIFIER DIODE |
| 封装： | PLASTIC, D2PAK-3 |
| 文件页数： | 1/2页 |
| 文件大小： | 69K |
| 代理商： | SBG1045 |
SBG1030 thru SBG1045
FEATURES
Metal of silicon rectifier,majority carrier conducton
Guard ring for transient protection
Low power loss, high efficiency
High current capability, low VF
High surge capacity
Plastic package has UL flammability classification 94V-0
For use in low voltage,high frequency inverters,free
whelling,and polarity protection applications
MECHANICAL DATA
Case : D PAK molded plastic
Polarity : As marked on the body
Weight : 0.06 ounces, 1.7 grams
MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS
Ratings at 25
ambient temperature unless otherwise specified.
℃
Single phase, half wave, 60HZ, resistive or inductive load.
For capacitive load, derate current by 20%
2
D PAK
2
All Dimensions in millimeter
DIM.
MIN.
MAX.
A
C
D
E
F
G
H
B
9.65
10.69
15.88
14.60
8.25
9.25
1.40
-----
0.51
1.14
2.29
2.79
2.29
2.79
1.14
2.92
K
J
I
1.40
2.03
0.64
0.30
4.37
4.83
D
PAK
2
K
J
I
H
F
D
C
A
G
E
B
PIN 1
PIN 2
K
HEATSINK
1
2
K
SCHOTTKY BARRIER RECTIFIERS
REVERSE VOLTAGE - 30 to 45 Volts
FORWARD CURRENT - 10 Amperes
SBG1030
30
21
30
10
250
0.60
-55 to +125
-55 to +150
3.0
SBG1035
35
24.5
35
SBG1040
40
28
40
SBG1045
45
31.5
45
280
NOTES : 1. 300us Pulse Width, 2% Duty Cycle.
2. Measured at 1.0MHz and applied reverse voltage of 4.0V DC.
3.Thermal Resistance Junction to Case.
VRMS
VDC
VRRM
I(AV)
IFSM
VF
Maximum Average Forward
Rectified Current (See Fig.1)
@TC
=95 C
Peak Forward Surge Current
8.3ms single half sine-wave
superimposed on rated load (JEDEC METHOD)
Maximum Recurrent Peak Reverse Voltage
Maximum RMS Voltage
Maximum DC Blocking Voltage
Maximum Forward Voltage
at 5A DC (Note 1)
TJ
Operating Temperature Range
TSTG
Storage Temperature Range
Typical Thermal Resistance (Note 3)
R0JC
CJ
Typical Junction
Capacitance (Note 2)
IR
@TJ =100 C
Maximum DC Reverse Current
at Rated DC Blocking Voltage
@TJ =25 C
C
C/W
pF
mA
V
A
V
CHARACTERISTICS
SYMBOL
UNIT
1.0
50
SEMICONDUCTOR
LITE-ON
REV. 3, Feb-2009, KTHB01
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| SBG1030 | 10 A, 30 V, SILICON, RECTIFIER DIODE |
| SBG11100 | RECTIFIER DIODE |
| SBG3050CT-T | 30 A, 50 V, SILICON, RECTIFIER DIODE |
| SBG3040CT-T | 30 A, 40 V, SILICON, RECTIFIER DIODE |
| SBG8100 | RECTIFIER DIODE |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| SBG1045CT | 制造商:DIODES 制造商全称:Diodes Incorporated 功能描述:10A SURFACE MOUNT SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER |
| SBG1045CT-F | 功能描述:DIODE SCHOTTKY 10A 45V CC D2PAK RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> 二极管，整流器 - 阵列 系列:- 其它有关文件:STTH10LCD06C View All Specifications 标准包装:1,000 系列:- 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)（最大）:2V @ 5A 电流 - 在 Vr 时反向漏电:1µA @ 600V 电流 - 平均整流 (Io)（每个二极管）:5A 电压 - (Vr)（最大）:600V 反向恢复时间(trr):50ns 二极管类型:标准 速度:快速恢复 = 200mA（Io） 二极管配置:1 对共阴极 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB 供应商设备封装:D2PAK 包装:带卷 (TR) 产品目录页面:1553 (CN2011-ZH PDF) 其它名称:497-10107-2 |
| SBG1045CT-T | 功能描述:DIODE SCHOTTKY CC 45V 10A D2-PAK RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> 二极管，整流器 - 阵列 系列:- 其它有关文件:STTH10LCD06C View All Specifications 标准包装:1,000 系列:- 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)（最大）:2V @ 5A 电流 - 在 Vr 时反向漏电:1µA @ 600V 电流 - 平均整流 (Io)（每个二极管）:5A 电压 - (Vr)（最大）:600V 反向恢复时间(trr):50ns 二极管类型:标准 速度:快速恢复 = 200mA（Io） 二极管配置:1 对共阴极 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB 供应商设备封装:D2PAK 包装:带卷 (TR) 产品目录页面:1553 (CN2011-ZH PDF) 其它名称:497-10107-2 |
| SBG1045CT-T-F | 功能描述:肖特基二极管与整流器 10A 45V RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 产品:Schottky Diodes 峰值反向电压:2 V 正向连续电流:50 mA 最大浪涌电流: 配置:Crossover Quad 恢复时间: 正向电压下降:370 mV 最大反向漏泄电流: 最大功率耗散:75 mW 工作温度范围:- 65 C to + 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-143 封装:Reel |
| SBG1630CT | 制造商:DIODES 制造商全称:Diodes Incorporated 功能描述:16A SURFACE MOUNT SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER |
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