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参数资料
| 型号： | SBLB25L20CT/31 |
| 厂商： | VISHAY SEMICONDUCTORS |
| 元件分类： | 整流器 |
| 英文描述： | 12.5 A, 20 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-263AB |
| 封装： | PLASTIC PACKAGE-3 |
| 文件页数： | 3/4页 |
| 文件大小： | 249K |
| 代理商： | SBLB25L20CT/31 |
SBL25LxxCT, SBLF25LxxCT & SBLB25LxxCT Series
Vishay Semiconductors
formerly General Semiconductor
Document Number 88731
www.vishay.com
03-Oct-03
3
Ratings and
Characteristic Curves (TA = 25°C unless otherwise noted)
0
50
100
150
250
200
1
100
10
P
eak
F
orw
ard
Surge
Current
(A)
Number of Cycles at 60 HZ
A
v
er
age
F
orw
ard
Rectified
Current
(A)
Lead Temperature (
°C)
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
Fig. 3 – Typical Instantaneous
Forward Characteristics Per Leg
020
60
40
100
80
Fig. 4 – Typical Reverse Characteristics Per Leg
Instantaneous
Re
v
erse
Leakage
Current
(
A)
Percent of Rated Peak Reverse Voltage (%)
0.01
0.1
10
1
50
I F
-
Instantaneous
F
orw
ard
Current
(A)
Reverse Voltage (V)
J
unction
Capacitance
(pF)
0.1
1
10
100
4,000
1,000
100
0.001
0.01
1.0
10
50
0.1
Fig. 5 – Typical Junction Capacitance Per Leg
TJ = 125
°C
TJ = 25°C
f = 1.0 MHZ
Vsig = 50mVp-p
Fig. 1 – Forward Current
Derating Curve
Fig. 2 – Maximum Non-Repetitive Peak
Forward Surge Current Per Leg
Instantaneous Forward Voltage (V)
t, Pulse Duration (sec.)
T
ransient
Ther
mal
Impedance
(
°C/W)
0.1
0.01
1
10
100
10
1
Fig. 6 – Typical Transient Thermal
Impedance Per Leg
0.1
300
TJ = TJ max
8.3ms Single Half Sine-Wave
(JEDEC Method)
75
°C
25
°C
0.1
0.3
0.5
0.7
0.9
Pulse Width = 300
s
1% Duty Cycle
TJ = 25
°C
TJ = 150
°C
0
15
20
30
25
0
50
100
150
10
5
Resistive or Inductive Load
TJ = 150
°C
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
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| SMA5J5.0CA-E3/2G | 500 W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AC |
| SMAJ26CA-E3/2G | 400 W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AC |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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