型号: | SMAJ6.0-E3/2G |
厂商: | VISHAY SEMICONDUCTORS |
元件分类: | TVS二极管 - 瞬态电压抑制 |
英文描述: | 400 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AC |
封装: | ROHS COMPLIANT, PLASTIC, SMA, 2 PIN |
文件页数: | 1/6页 |
文件大小: | 105K |
代理商: | SMAJ6.0-E3/2G |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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SMB8J7.0CA-E3/2C | 800 W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AA |
SMBJ20A/2B | 600 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AA |
SMBJ22A/2B | 600 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AA |
SMBJ33A/2B | 600 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AA |
SMBJ5.0A/2B | 600 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AA |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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SMAJ60HE3/5A | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 400W 60V 10% Uni RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |
SMAJ60HE3/61 | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 400W 60V 10% Uni RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |
SMAJ64 | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 64Vr 400W 3.9A 10% UniDirectional RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |
SMAJ6486CE3/TR13 | 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:1.5W, VZ = 3.6V, ? 2% - Tape and Reel 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:DIODE ZENER 1.5W 3.6V 2% SMAJ |
SMAJ6486E3/TR13 | 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:1.5W, VZ = 3.6V, ? 5% - Tape and Reel 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:DIODE ZENER 1.5W 3.6V 5% SMAJ |